[发明专利]孪生单体组合物及其介电膜

权利要求书

1.一种包含通式M1的孪生单体的组合物：

其中：

M为元素周期表第3或4主族的金属或半金属；

X^M1、X^M2各自为O；

R^M1、R^M2相同或不同，各自为-CR^aR^b-Ar-O-R^c；

Ar为C₆-C₃₀碳环体系；

R^a、R^b相同或不同，各自为H或C₁-C₆烷基；

R^c为C₁-C₂₂烷基、苄基或苯基；

q根据M的价态和电荷为0或1；

X^M3、X^M4相同或不同，各自为O、C₆-C₁₀芳基或-CH₂-；

R^M3、R^M4相同或不同，各自为R^M1、H、C1-C22烷基或选自聚亚烷基、聚硅氧烷或聚醚的聚合物。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中M为B、Al、Si、Ti或Zr，优选为Si。

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中X^M3和X^M4相同或不同，各自为O、苯基或萘基，或-CH₂-。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的组合物，其中R^M3、R^M4相同或不同，各自为O、C₁-C₁₂烷基或选自聚硅氧烷或聚醚的聚合物。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的组合物，其中Ar为苯基且R^c为C₁-C₁₂烷氧基、苄氧基或苯氧基。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的组合物，其中R^a和R^b相同或不同，各自为H或C₁-C₄烷基，优选为H。

7.根据权利要求1或6所述的组合物，其中所述孪生单体具有通式M2：

其中：

M为金属或半金属，通常为元素周期表第3或第4主族或第4过渡族的金属或半金属，优选为B、Al、Si、Ti或Zr，最优选为Si；

R^M1、R^M2各自为-CR^aR^b-Ar；

Ar为C₆-C₁₂芳环，特别为苯环，其中Ar包含1或2个取代基，优选1个取代基，所述取代基选自C₁-C₄烷氧基；

R^a、R^b相同或不同，各自为H或C₁-C₄烷基；

q根据M的价态和电荷为0或1；

R^M3、R^M4各自为R^M1。

8.根据权利要求1或6所述的组合物，其中所述孪生单体具有如下通式：

M2a

或M2a’：

其中R^M21、R^M22、R^M23和R^M24各自独立地选自甲基、乙基、丙基或丁基。