[发明专利]非接触式的低基板温度测量方法

权利要求书

1.一种用于测量位于半导体处理环境中的基板的一温度的方法，包含以下步骤：

将具有顶表面及边缘表面的所述基板定位在所述半导体处理环境内的规定位置中；

触发被定向为观察所述基板的所述边缘表面的一个侧面的红外照相机，以获得所述基板的所述边缘表面的所述一个侧面的红外图像；以及

处理来自所述红外图像的数据以获得所述基板的温度轮廓。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述红外照相机被定向为沿着所述基板的径向轴观察所述基板的所述边缘表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述红外照相机是第一红外照相机，所述红外图像是第一红外图像，并且所述方法进一步包含以下步骤：

触发被定向为观察不包括在所述第一红外图像中的所述基板的所述边缘表面的第二侧面的第二红外照相机，以获得所述基板的所述边缘表面的所述第二侧面的第二红外图像。

4.根据权利要求3所述的方法，其中处理所述红外图像的步骤包含以下步骤：处理来自所述第一红外图像的数据及来自所述第二红外图像的数据以获得所述基板的所述温度轮廓。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述红外照相机是第一红外照相机，所述红外图像是第一红外图像，其中所述基板是第一基板，第二红外照相机位于第二基板的第二规定位置附近，并且所述方法进一步包含以下步骤：

触发被定向为观察所述第二基板的边缘表面的侧面的所述第二红外照相机，以获得所述第二基板的所述边缘表面的所述侧面的第二红外图像，

其中处理所述红外图像的步骤包含以下步骤：处理来自所述第一红外图像的数据以获得所述第一基板的第一温度轮廓以及处理来自所述第二红外图像的数据以获得所述第二基板的第二温度轮廓。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述红外照相机是第一红外照相机，所述红外图像是第一红外图像，所述规定位置是第一规定位置，所述基板是第一基板，并且所述方法进一步包含以下步骤：

触发位于所述第一基板的所述第一规定位置附近并且被定向为垂直于所述第一基板的径向轴观察所述第一基板的所述顶表面的第二红外照相机，以获得所述第一基板的所述顶表面的第二红外图像；

将第二基板定位于所述半导体制造环境内的第二规定位置中；

触发位于所述第二基板的所述第二规定位置附近并且被定向为观察所述基板的边缘表面的侧面的第三红外照相机，以获得所述第二基板的所述边缘表面的所述侧面的第三红外图像；以及

触发位于所述第二基板的所述第二规定位置附近并且被定向为垂直于所述第二基板的所述径向轴观察所述第二基板的所述顶表面的第四红外照相机，以获得所述第二基板的所述顶表面的第四红外图像，

其中处理所述红外图像的步骤包含以下步骤：处理来自所述第一红外图像、所述第二红外图像、所述第三红外图像、及所述第四红外图像的数据以获得所述第一基板及所述第二基板的温度轮廓。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包含以下步骤：所述数据的第二处理以辨识高于所述第一基板和/或所述第二基板的一氧化温度的所述第一基板和/或所述第二基板的所述顶表面上的一个或多个位置。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述基板的底表面的下方定位有反射性黑体元件。

9.根据权利要求8所述的方法，其中处理来自所述红外图像的数据以基于从所述黑体元件反射并且穿过所述基板可观察到的红外光的光量来确定所述基板的温度。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述黑体元件包含黑体膜盘及环形膜保持器。

11.根据权利要求10所述的方法，其中从所述黑体元件反射并且穿过所述基板可观察到的所述红外光是从所述黑体盘的、未被所述环形膜保持器遮挡的暴露部分发射的。