[发明专利]荧光体、荧光体的制造方法、发光元件、发光装置和图像显示装置在审
申请号: | 202080045881.2 | 申请日: | 2020-06-18 |
公开(公告)号: | CN114008175A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 豊岛广朗;川越美满 | 申请(专利权)人: | 电化株式会社 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64;H01L33/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 制造 方法 发光 元件 装置 图像 显示装置 | ||
1.一种荧光体,由Mα(L,A)βXγ表示的荧光体母晶的元素M的至少一部分被作为活化物质的Eu取代,具有由通式:Mα(L,A)βXγ:Euδ表示的组成,
所述M为选自Mg、Ca、Sr、Ba和Zn中的一种或两种以上的元素,其中至少包含Sr,
所述L为选自Li、Na和K中的一种或两种以上的元素,
所述A为选自Al、Ga、B、In、Sc、Y、La和Si中的一种或两种以上的元素,
所述X为选自O、N、F和Cl中的一种或两种以上的元素,其中不包括X仅为N的情况,
所述α、β、γ和δ满足:
8.70≤α+β+γ+δ≤9.30,
0.00<α≤1.30,
3.70≤β≤4.30,
3.70≤γ≤4.30,和
0.00<δ≤1.30;
在照射波长260nm的光时的荧光光谱中,将波长569nm处的荧光强度设为I0,将波长617nm处的荧光强度设为I1时,荧光强度比I1/I0为0.01~0.4。
2.根据权利要求1所述的荧光体,其中,在所述荧光光谱中,将波长628nm处的发光强度设为I2时,荧光强度比I2/I0为0.01~0.3。
3.根据权利要求1或2所述的荧光体,其中,该荧光体由组成式SreLifAlgOh1Nh2Eui表示,
组成比e、f、g、h1、h2和i为:
e+f+g+h1+h2+i=9,
0.00<e<1.30,
0.70≤f≤3.30,
0.70≤g≤3.30,
3.70≤h1+h2≤4.30,其中h1>0,
0.00<i<1.30,和
0.70≤e+i≤1.30。
4.根据权利要求3所述的荧光体,其中,所述组成比f和g为:
7/40≤g/(f+g)<30/40。
5.根据权利要求3或4所述的荧光体,其中,所述组成比h1和h2为:
0<h1/(h1+h2)≤1。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的荧光体,其中,照射在波长250nm~500nm的波长范围包含光强度峰的光时,发出在430nm~670nm的波长范围包含光强度峰的荧光。
7.根据权利要求6所述的荧光体,其中,照射所述在波长250nm~500nm的波长范围包含光强度峰的光时,发出在560nm~580nm的波长范围包含光强度峰的荧光。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的荧光体,其为粉末状,在用激光衍射散射法测定的体积频度粒度分布中,在将累积值成为50%的平均粒径设为d50时,d50为0.1μm~50μm。
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