[发明专利]用于全息光学元件的聚合物涂层

权利要求书

1.一种制造方法，包括以下步骤：提供第一聚合物层、包含低折射率化合物的粘结层、以及聚合物体全息图，组装所述第一聚合物层、所述粘结层和所述聚合物体全息图以形成组件，提供至少第一基板，其中所述第一基板与所述第一聚合物层相邻，以及将所述组件与所述至少第一基板层压以形成层压结构，其中所述层压结构在所述聚合物体全息图内具有分配的低折射率化合物水平，使得在层压和低折射率化合物与所述粘结层均衡之后，所述聚合物体全息图的光改性性质在至少一个波长范围内大于所述聚合物体 全息图在组装之前的原始光改性性质幅度的70％，并且其中所述粘结层包含的低折射率化合物的总量在所述层压结构的大于0至小于50重量百分比的范围内。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，初始聚合物体全息图不包含低折射率化合物。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，初始聚合物体全息图包含至少一种低折射率化合物。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制造方法，还包括一个或多个附加的聚合物层。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制造方法，其中，所述聚合物体全息图布置在第二基板上。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的制造方法，其中，所述粘结层中的所述低折射率化合物与所述聚合物体全息图中的所述低折射率化合物不同。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的制造方法，还包括与所述粘结层相邻的聚合物膜，其中所述聚合物膜布置在所述第一聚合物层和所述粘结层之间。

8.根据权利要求3至7中任一项所述的制造方法，其中，所述粘结层包含的低折射率化合物的浓度在所述聚合物体全息图中低折射率化合物的浓度的-25至+25重量百分比的范围内。

9.根据权利要求3至8中任一项所述的制造方法，其中，选择所述粘结层中的低折射率化合物以具有在所述聚合物体全息图中的低折射率化合物的折射率的-0.1至+0.1范围内的折射率。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的制造方法，其中，所述聚合物膜防止所述低折射率化合物从所述粘结层和/或所述聚合物体全息图迁移至所述聚合物层。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的制造方法，其中，所述低折射率化合物包含至少两种不同的低折射率化合物。

12.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述聚合物体全息图包括图案化或未图案化的光聚合物膜，其中，所述聚合物体全息图在组装步骤之前不包括低折射率化合物。

13.一种制造方法，包括以下步骤：提供第一聚合物层、包含低折射率化合物的粘结层、聚合物体全息图和第二聚合物层，组装所述第一聚合物层、所述粘结层、所述聚合物体全息图和所述第二聚合物层以形成组件，其中所述聚合物体全息图在所述粘结层与所述第二聚合物层之间，提供至少第一基板，并将所述组件与所述至少第一基板层压以形成层压结构，其中所述层压结构在所述聚合物体全息图内具有分配的低折射率化合物水平，使得在层压和低折射率化合物与所述粘结层均衡之后，所述聚合物体全息图的光改性性质在至少一个波长范围内大于所述聚合物体 全息图在组装之前的原始光改性性质幅度的70％，并且其中所述粘结层包含的低折射率化合物的总量在所述层压结构的大于0至小于50重量百分比的范围内。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的制造方法，在层压和所述低折射率化合物与所述粘结层的均衡之后，所述聚合物体全息图的光改性性质在至少一个波长范围内大于所述聚合物体 全息图在组装之前的原始光改性性质幅度的100％。

15.一种层压结构，其通过根据权利要求1至14中任一项所述的制造方法制造。