[发明专利]在受次级控制的反激式转换器中使用次级控制器进行的初级控制器校准和微调在审

专利信息
申请号: 202080046839.2 申请日: 2020-05-21
公开(公告)号: CN114026774A 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 哈里翁·拉伊 申请(专利权)人: 赛普拉斯半导体公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156;H02M3/158;H02M3/335
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 刘雯鑫;杨林森
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 次级 控制 反激式 转换器 使用 控制器 进行 初级 校准 微调
【权利要求书】:

1.一种方法,包括:

由电力转换器的次级侧控制器存储与所述电力转换器的初级侧控制器相关联的校准信息,其中,所述电力转换器是受次级控制的交流到直流(AC至DC)反激式转换器,所述反激式转换器包括电流隔离势垒;以及

响应于所述电力转换器的上电,由所述次级侧控制器跨所述电流隔离势垒向所述初级侧控制器发送所述校准信息。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,发送所述校准信息包括由所述次级侧控制器的脉冲变压器跨所述电流隔离势垒向所述初级侧控制器发送作为脉冲信息的所述校准信息。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,发送所述校准信息包括:

由所述次级侧控制器的脉宽调制(PWM)控制器生成PWM脉冲信号;以及

将所述PWM脉冲信号施加至脉冲变压器的次级侧,其中,将所述PWM脉冲信号施加至所述脉冲变压器的次级侧在所述脉冲变压器的初级侧引起信号,以跨所述电流隔离势垒将所述校准信息发送至所述初级侧控制器。

4.根据权利要求3所述的方法,还包括:

由所述初级侧控制器的脉冲接收器接收所述脉冲变压器的初级侧的信号;以及

由所述脉冲接收器经由所述初级侧控制器的栅极驱动器向初级开关场效应晶体管(FET)的栅极输出控制信号,其中,所述控制信号使所述初级开关FET导通和关断,以控制所述电力转换器的反激式变压器。

5.根据权利要求1所述的方法,还包括:由所述次级侧控制器向所述初级侧控制器发送具有特定模式的信号,以向所述初级侧控制器通知所述次级侧控制器要以预定义序列发送所述校准信息,并且其中,发送所述校准信息包括在发送所述具有特定模式的信号之后跨所述电流隔离势垒以预定义序列发送所述校准信息。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,发送所述具有特定模式的信号包括在所述初级侧控制器与所述次级侧控制器没有时钟同步的情况下发送所述具有特定模式的信号。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,存储所述校准信息包括将所述校准信息存储在所述次级侧控制器的非易失性存储器(NVM)中。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述校准信息包括用于所述初级侧控制器的微调数据,并且其中,存储所述校准信息包括将所述微调数据存储在所述次级侧控制器的非易失性存储器(NVM)中。

9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述校准信息包括对所述初级侧控制器的固件的基于固件的修改,其中,所述基于固件的修改涉及所述电力转换器的初级侧或其中设置有所述电力转换器的特定电路板中的至少一者,并且其中,存储所述校准信息包括将所述基于固件的修改存储在所述次级侧控制器的非易失性存储器(NVM)中。

10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述校准信息包括与所述初级侧控制器有关的用户定义的设置,并且其中,存储所述校准信息包括将所述用户定义的设置存储在所述次级侧控制器的非易失性存储器(NVM)中。

11.一种交流到直流(AC至DC)反激式转换器,包括:

反激式变压器;

初级侧控制器,所述初级侧控制器耦接至所述反激式变压器;以及

次级侧控制器,所述次级侧控制器耦接至所述反激式变压器,其中,所述反激式变压器包括非易失性存储器以存储与所述初级侧控制器相关联的校准信息,其中,所述次级侧控制器被配置成响应于所述AC至DC反激式转换器的上电将所述校准信息跨所述AC至DC反激式转换器的电流隔离势垒发送至所述初级侧控制器。

12.根据权利要求11所述的AC至DC反激式转换器,还包括脉冲变压器,所述脉冲变压器耦接至所述初级侧控制器和所述次级侧控制器。

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