[发明专利]太赫兹装置

权利要求书

1.一种太赫兹装置，其特征在于，包括：

基材；

安装于所述基材的、产生电磁波的太赫兹元件；

设置在与所述基材相对的位置的、具有天线面的天线基底；和

形成于所述天线面的、使从所述太赫兹元件产生的电磁波的至少一部分向一个方向反射的反射膜。

2.如权利要求1所述的太赫兹装置，其特征在于：

所述天线基底具有：

与所述基材相对的基底主面；

与所述基底主面相反侧的基底背面；和

朝向侧方的基底侧面，

所述太赫兹装置具有用于与外部的电连接的电极，

所述电极具有：

形成于所述基底侧面的侧面电极；和

形成于所述基底背面的背面电极。

3.如权利要求2所述的太赫兹装置，其特征在于：

所述电极由沿着所述天线基底弯曲的引线框架构成。

4.如权利要求3所述的太赫兹装置，其特征在于：

所述电极具有：

在所述基底侧面与所述基底主面的角部分以朝向所述基底侧面去的方式弯折的基端部；

在所述基底侧面与所述基底背面的角部分弯折的弯折部；和

配置在所述基底背面的前端部，

所述侧面电极为从所述基端部至所述弯折部的部分，

所述背面电极为从所述弯折部至所述前端部的部分。

5.如权利要求1～4中任一项所述的太赫兹装置，其特征在于：

所述太赫兹元件包括：

具有产生电磁波的振荡点的元件主面；

与所述元件主面相反侧的元件背面，

所述反射膜配置在比所述元件背面更靠所述元件主面侧。

6.如权利要求5所述的太赫兹装置，其特征在于：

所述太赫兹元件为从所述振荡点遍及开口角度的范围呈辐射状地照射电磁波的元件，

所述反射膜相对于所述振荡点遍及所述开口角度以上的角度而形成。

7.如权利要求5或6所述的太赫兹装置，其特征在于：

所述反射膜为抛物面天线形状。

8.如权利要求7所述的太赫兹装置，其特征在于：

所述反射膜以该反射膜的焦点位于所述振荡点的方式配置。

9.如权利要求7所述的太赫兹装置，其特征在于：

从所述基材与所述天线基底的相对方向看，所述反射膜的中心点与所述振荡点一致。

10.如权利要求7～9中任一项所述的太赫兹装置，其特征在于：

所述反射膜以使从所述太赫兹元件产生的电磁波进行谐振的方式，配置在与该电磁波的频率对应的位置。

11.如权利要求7所述的太赫兹装置，其特征在于：

所述太赫兹元件配置在从所述基材与所述天线基底的相对方向看，所述反射膜的中心点与所述振荡点错开的位置。

12.如权利要求1～11中任一项所述的太赫兹装置，其特征在于：

所述反射膜为电浮置状态。

13.如权利要求1～12中任一项所述的太赫兹装置，其特征在于：

所述天线基底由绝缘性材料形成。

14.如权利要求1～13中任一项所述的太赫兹装置，其特征在于：

所述基材设置在与所述反射膜相对的位置，由透过电磁波的材料形成。

15.如权利要求14所述的太赫兹装置，其特征在于：

所述基材由电介质体形成。