[发明专利]电容器结构在审
申请号: | 202080047047.7 | 申请日: | 2020-06-22 |
公开(公告)号: | CN114097101A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 马库斯·哈卡莫;托米-佩卡·塔卡洛;彼得里·科蒂莱宁;彼得里·海利厄;塔皮奥·库伊里 | 申请(专利权)人: | 可尔HW半导体公司 |
主分类号: | H01L49/02 | 分类号: | H01L49/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 姚文杰 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电容器 结构 | ||
1.一种电容器结构,其被实施为包括复数个交替的介电层和金属化层的分层结构,
其特征在于,所述电容器结构包括:
至少一个侧向平行板电容器部分(LPP部分),所述至少一个LPP部分包括由复数个所述交替的层的介电材料分隔的两个第一电极,所述两个第一电极由两个基本上平行的金属化图案在两个不同的层上形成,和
至少一个垂直平行板电容器部分(VPP部分),所述至少一个VPP部分包括两个第二电极,每个第二电极包括布置在复数个所述金属化层上的复数个叠置的平板或条,
其中,所述至少一个LPP部分与所述至少一个VPP部分电耦接以形成所述电容器结构,以及
其中,由于在分隔所述两个第一电极的所述复数个交替的层中的至少一层上的介电材料的厚度变化引起的所述至少一个LPP部分的电容值的变化至少部分地通过所述至少一个VPP部分的电容值的相反变化来补偿,其中,在分隔所述两个第一电极的所述复数个交替的层中的所述至少一层上的所述介电材料的厚度变化引起在垂直维度上所述两个第一电极之间的距离相对于标称值的差,所述至少一个VPP部分的电容值的所述相反变化由于所述复数个交替的层中的所述至少一层上的所述介电材料的厚度变化导致所述两个第二电极在垂直维度上的宽度相对于标称值的差而引起。
2.根据权利要求1所述的电容器结构,其中,所述至少一个LPP部分及所述至少一个VPP部分彼此并联或串联地电耦接。
3.根据权利要求1或2所述的电容器结构,包括至少两个LPP部分和至少两个VPP部分,其中,至少一个LPP部分和至少一个VPP部分彼此并联地电耦接,并且其中,至少另一个LPP部分和至少另一个VPP部分彼此串联地电耦接。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器结构,
其中,所述两个第二电极包括复数个电极指部,每个电极指部由复数个叠置的平板或条形成,所述两个第二电极的所述电极指部以指状交叉电极指部的形式形成梳状结构,其中,相邻电极指部具有交替的极性,以及/或者
其中,所述叠置的平板或条通过一个或更多个导电通孔彼此电连接,所述一个或更多个导电通孔穿过将两个相邻的包括所述叠置的平板或条的金属化层分隔的每个介电材料层。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电容器结构,其中,所述两个第一电极驻留在所述电容器结构的包括所述第二电极的顶部和底部平板或条的金属化层上,所述顶部和底部平板或条限定所述第二电极在垂直维度上的宽度。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电容器结构,其中
所述两个第一电极中的一个第一电极驻留在所述电容器结构的在垂直维度上位于如下金属化层上方的层上:该金属化层包括限定所述第二电极在垂直维度上的宽度的上界限的所述第二电极的平板或条;并且所述两个第一电极中的另一个第一电极驻留在所述电容器结构的包括限定所述第二电极在垂直维度上的宽度的下界限的所述第二电极的平板或条的层上,或者
所述两个第一电极中的一个第一电极驻留在所述电容器结构的在垂直维度上位于如下金属化层下方的层上:该金属化层包括限定所述第二电极在垂直维度上的宽度的下界限的所述第二电极的平板或条;并且所述两个第一电极中的另一个第一电极驻留在所述电容器结构的包括限定所述第二电极在垂直维度上的宽度的上界限的所述第二电极的平板或条的层上。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的电容器结构,其中,所述两个第一电极中的一个第一电极驻留在所述电容器结构的位于所述电容器结构的如下金属化层上方的层上:该金属化层包括限定所述第二电极在垂直维度上的宽度的上界限的所述第二电极的平板或条;并且所述两个第一电极中的另一个第一电极驻留在所述电容器结构的位于所述电容器结构的如下金属化层下方的层上:该金属化层包括限定所述第二电极在垂直维度上的宽度的下界限的所述第二电极的平板或条。
8.根据权利要求7所述的电容器结构,其中,所述两个第一电极的相邻面之间的垂直距离由限定所述两个第二电极在垂直维度上的宽度的层的厚度限定。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于可尔HW半导体公司,未经可尔HW半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080047047.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。