[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，该半导体基板具有晶体管部和二极管部，

在所述晶体管部的俯视所述半导体基板时的所述二极管部侧的端部，所述晶体管部具有抑制第二导电型载流子的注入的注入抑制区。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管部和所述二极管部两者在所述半导体基板的正面具有第二导电型的基区，

所述晶体管部在所述半导体基板的正面还具有第一导电型的发射区、和掺杂浓度高于所述基区的掺杂浓度的第二导电型的抽出区，

在所述注入抑制区未设置所述发射区和所述抽出区。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视所述半导体基板时，所述注入抑制区在所述晶体管部和所述二极管部的排列方向上的宽度为20μm以上且900μm以下。

4.如权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视所述半导体基板时，所述注入抑制区还设置于所述二极管部的延伸方向上的端部与有源区的外周之间。

5.如权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视所述半导体基板时，所述二极管部的面积为所述二极管部和所述注入抑制区的合计面积的10％以上。

6.如权利要求2至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视所述半导体基板时，所述二极管部的总面积为所述半导体装置的面积的1.4％以上且22％以下。

7.如权利要求2至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述注入抑制区中的所述基区的掺杂浓度为所述二极管部的所述基区的掺杂浓度以下。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述注入抑制区中的所述基区的掺杂浓度为1×e¹⁶cm^－3以上且5×e¹⁹cm^－3以下。

9.如权利要求2至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述二极管部的所述基区的掺杂浓度为1×e¹⁶cm^－3以上且1×e¹⁸cm^－3以下。

10.如权利要求2至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述抽出区的掺杂浓度为5×e¹⁸cm^－3以上且5×e²⁰cm^－3以下。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管部和所述二极管部两者在所述半导体基板的正面具有第二导电型的基区，

所述晶体管部和所述注入抑制区在所述半导体基板的正面还具有第一导电型的发射区、和掺杂浓度高于所述基区的掺杂浓度的第二导电型的抽出区，

在俯视所述半导体基板时，所述注入抑制区中的所述发射区和所述抽出区的比率低于所述晶体管部中的所述发射区和所述抽出区的比率。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管部和所述注入抑制区具有多个台面部，所述多个台面部在多个沟槽部之间，沿所述晶体管部和所述二极管部的延伸方向延伸，所述多个沟槽部沿所述延伸方向延伸且沿所述晶体管部和所述二极管部的排列方向排列，

在所述注入抑制区的台面部，所述发射区和所述抽出区中的任一个被配置为，分别与配置于在所述晶体管部侧相邻的台面部的所述发射区相邻。