[发明专利]薄膜、层叠体、带薄膜层的半导体晶圆、带薄膜层的半导体搭载用基板和半导体装置在审

专利信息
申请号: 202080047344.1 申请日: 2020-06-26
公开(公告)号: CN114026682A 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 冈庭正志;东口鉱平;关户隆人;高野健太郎;木田刚 申请(专利权)人: 三菱瓦斯化学株式会社
主分类号: H01L23/24 分类号: H01L23/24;C08J5/18;C08L79/08;C08K5/14
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 层叠 半导体 搭载 用基板 装置
【说明书】:

本发明提供一种薄膜,其包含:含有选自由马来酰亚胺化合物和柠康酰亚胺化合物组成的组中的至少1种的化合物(A);含有选自由特定式所示的有机过氧化物组成的组中的至少1种的有机过氧化物(B);和,氢过氧化物(C)。

技术领域

本发明涉及薄膜、使用了薄膜的层叠体、带薄膜层的半导体晶圆、带薄膜层的半导体搭载用基板、和薄膜。详细而言,本发明涉及作为预施底充胶材料有用的薄膜。

背景技术

近年来,随着半导体装置的小型化、及高性能化,作为将半导体芯片(以下,有时简记为“芯片”。)搭载于半导体搭载用基板(以下,有时简记为“基板”。)的方法,倒装芯片安装受到关注。倒装芯片安装一般为如下工艺:将芯片与基板接合后,向芯片与基板的间隙填充底充胶材料并使其固化。但是,随着半导体装置的小型化、高性能化,排列于芯片的电极的窄间距化、电极间的窄间隙(gap)化在推进,底充胶材料的填充的长时间化导致的操作性的恶化、未填充等填充不良的产生成为问题。对此,正在研究如下工艺:对芯片或基板供给预施底充胶材料后、同时进行芯片与基板的接合、和底充胶材料的填充。

底充胶材料为与芯片及基板直接接触的构件,因此作为对底充胶材料要求的重要的特性,可以举出:在制造半导体装置的工序中,确保最佳的熔融粘度,和在制造和使用半导体装置的环境下,抑制芯片和基板之间的底充胶未填充部分(以下,有时简称为“空隙”)。

专利文献1中记载了主树脂使用了自由基聚合性单体的预施底充胶材料。该专利文献1中有关于以提高与芯片的粘接性为目的的硅烷偶联剂的配混的记载。

专利文献2中记载了包含环氧树脂、咪唑化合物和马来酰亚胺化合物的底充胶材料。

专利文献3中记载了使用环氧化合物、含羧基助焊剂成分的预施底充胶材料,并提及了粘接。

专利文献4中记载了以马来酰亚胺化合物、环氧树脂和环氧树脂固化剂为必须成分的树脂组合物,记载了热固化后的树脂组合物可得到高的密合性。

专利文献5中有关于印刷电路基板用树脂组合物的记载,其是为了形成印刷电路基板中的绝缘层而使用的热固化性树脂组合物,且含有:具有特定结构的马来酰亚胺化合物、苯并噁嗪化合物和无机填充材料(C)。

专利文献6中有关于电子部件用粘接剂的记载,其含有:脂肪族环氧化合物和苯并噁嗪化合物作为固化主剂,并且含有酚系固化剂。

专利文献7中有关于粘接剂组合物的记载,其含有:热固化性化合物、具有可与前述热固化性化合物反应的官能团的聚合物、和热固化剂,该粘接剂组合物在接合温度下的熔融粘度为10Pa·s以上且15000Pa·s以下,在接合温度下的胶凝时间为10秒以上,并且在240℃下的胶凝时间为1秒以上且10秒以下。

专利文献8中记载了使用片状热固化性树脂组合物的半导体装置的制造方法。

另外,将芯片与基板借助容易被氧化的金属、例如焊料、铜而接合的情况下,为了将成为接合的阻碍要因的金属氧化膜从接合部去除从而得到良好的金属接合,有时在预施底充胶材料中添加源自羧酸等的助焊剂成分。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特表2015-503220号公报

专利文献2:日本特表2014-521754号公报

专利文献3:日本特开2013-112730号公报

专利文献4:日本特开2003-221443号公报

专利文献5:日本特开2016-196548号公报

专利文献6:日本特开2013-008800号公报

专利文献7:日本特开2011-157529号公报

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