[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体加工用层叠体在审
申请号: | 202080048374.4 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN114097073A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 今智范 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C09J133/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王永红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 工用 层叠 | ||
本发明的目的在于提供能够抑制临时固定带与半导体加工用粘合带的界面处的剥离,良好地进行半导体封装的拾取的半导体装置的制造方法、以及半导体加工用层叠体。本发明的半导体装置的制造方法具有如下的工序(3):在将贴附有半导体加工用粘合带的半导体封装以上述半导体加工用粘合带侧进行接触的方式层叠于临时固定带上且在贴附有上述半导体加工用粘合带的半导体封装的背面和侧面形成有金属膜的半导体加工用层叠体中,从上述半导体加工用粘合带拾取在背面和侧面形成有金属膜的半导体封装,在上述工序(3)中,在加热至满足下述式(1)的温度T1的状态下拾取在上述背面和侧面形成有金属膜的半导体封装。100<{Fb(T1)/Fa(T1)}(1)式(1)中,Fa(t)表示温度t时的半导体加工用粘合带对铜板的剥离力,Fa(T1)表示Fa(t)的温度t=T1时的值,Fb(t)表示温度t时的临时固定带对半导体加工用粘合带的剥离力,Fb(T1)表示Fb(t)的温度t=T1时的值。
技术领域
本发明涉及能够抑制临时固定带与半导体加工用粘合带的界面处的剥离、良好地进行半导体封装的拾取的半导体装置的制造方法及半导体加工用层叠体。
背景技术
在半导体等电子部件的加工时,为了使电子部件的处理变得容易、不发生破损,借助粘合剂组合物将电子部件固定于支撑板、或者将粘合带贴附于电子部件来进行保护。例如,在将从高纯度的单晶硅等切出的厚膜晶片磨削至规定的厚度而制成薄膜晶片的情况下,借助粘合剂组合物将厚膜晶片粘接于支撑板。
另外,在对大面积的半导体封装进行切割而得到多个单片化的半导体封装的情况下,也进行将粘合带贴附于半导体封装的操作。在这样的工序中,将贴附有粘合带的半导体封装进一步临时固定于被称为切割带的胶带上,在切割带上连同粘合带一起切割半导体封装。切割后,通过针拾取等,将单片化后的半导体封装从切割带和/或粘合带剥离。
对于这样用于电子部件的粘合剂组合物、粘合带,要求在加工工序中能够尽可能牢固地固定电子部件的高粘接性,并且要求在工序结束后能够在不损伤电子部件的情况下进行剥离(以下,也称为“高粘接易剥离”。)。
作为高粘接易剥离的实现手段,例如专利文献1中公开了一种粘合片,其使用了在聚合物的侧链或主链上键合有具有辐射聚合性官能团的多官能性单体或低聚物的粘合剂。通过具有辐射聚合性官能团,从而聚合物通过紫外线照射而固化,利用这一点,通过在剥离时照射紫外线,从而粘合力降低,能够无残胶地进行剥离。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平5-32946号公报
发明内容
发明要解决的课题
另一方面,移动电话等通信设备的高频化不断发展,产生由高频引起的噪声导致的半导体封装的误动作的问题。特别是,近年来的通信设备由于小型化而引起的器件密度的增加、器件的低电压化不断发展,因此半导体封装容易受到高频引起的噪声的影响。
针对该问题,例如,通过溅射等对切割后的单片化的半导体封装的背面和侧面实施用金属膜覆盖的屏蔽处理,进行了阻断高频的操作。在这样的屏蔽处理中,为了保护电路面(前表面)和防止污染,也进行将粘合带贴附于半导体封装的电路面(前表面)的操作。即,将在电路面(前表面)贴附有粘合带的半导体封装进一步临时固定于临时固定带上,在临时固定带上在半导体封装的背面和侧面形成金属膜。
屏蔽处理后,通过针拾取等,将在背面和侧面形成有金属膜的半导体封装从临时固定带和粘合带剥离。然而,根据半导体封装的电路面(前表面)的电极的高度、形状等,有时无法良好地进行屏蔽处理后的半导体封装的拾取。
本发明的目的在于提供能够抑制临时固定带与半导体加工用粘合带的界面处的剥离、良好地进行半导体封装的拾取的半导体装置的制造方法及半导体加工用层叠体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造