[发明专利]量测目标的改进

说明书

公开了一种图案形成装置和使用该图案形成装置进行图案化的辅助衬底，该图案形成装置用于将产品结构图案化到衬底上。该图案形成装置包括目标图案化元件，其用于图案化至少一个目标，从至少一个目标能够推断感兴趣参数。目标图案化元件和用于图案化产品结构的产品图案化元件。目标图案化元件和产品图案化元件被配置为使得所述至少一个目标具有至少一个边界，该至少一个边界既不平行也不垂直于所述衬底上的所述产品结构。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年7月23日提交的US申请62/877,569的优先权和2019年8月29日提交的EP申请19194215.0的优先权，该申请通过引用整体并且入本文。

技术领域

本发明涉及在集成电路制造中的量测应用。

背景技术

光刻设备是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如在图案形成装置(例如，掩模)处将图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。

为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4-20nm范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。

低k₁光刻可以用于处理尺寸小于光刻设备的经典分辨率极限的特征。在这样的过程中，分辨率公式可以表示为CD＝k₁×λ/NA，其中λ是所采用的辐射波长，NA是光刻设备中投影光学器件的数值孔径，CD是“临界尺寸”(通常印制的最小特征尺寸，但在这种情况下为半节距)，k₁是经验分辨率因子。通常，k1越小，就越难以在衬底上复制与电路设计者为实现特定电气功能和性能而计划的形状和尺寸类似的图案。为了克服这些困难，可以将复杂的微调步骤应用于光刻投影设备和/或设计布局。这些包括例如但不限于NA的优化、定制的照射方案、相移图案形成装置的使用、设计布局的各种优化(诸如设计布局中的光学邻近校正(OPC，有时也称为“光学过程校正”))、或通常定义为“分辨率增强技术”(RET)的其它方法。替代地，可以使用用于控制光刻设备的稳定性的严格控制回路来改善低k1下的图案的再现。

量测工具用于IC制造工艺的许多方面，例如作为用于在曝光之前正确定位衬底的对准工具和用于在过程控制中检查/测量曝光产品和/或蚀刻产品(例如，以测量重叠)的基于散射测量的工具。

相邻产品结构的存在的影响可影响这种量测工具，例如当测量重叠时。将期望减轻这个问题。

发明内容

在本发明的第一方面中，提供了一种图案形成装置，该图案形成装置用于将产品结构图案化到衬底上，该图案形成装置包括：目标图案化元件，其用于图案化至少一个目标，从至少一个目标能够推断感兴趣参数，以及产品图案化元件，其用于图案化所述产品结构；其中，所述目标图案化元件和产品图案化元件被配置为使得所述至少一个目标具有至少一个边界，该至少一个边界既不平行也不垂直于所述衬底上的所述产品结构。

在本发明的第二方面中，提供了一种图案形成装置，该图案形成装置用于将产品结构图案化到衬底上，该图案形成装置包括：目标图案化元件，其用于图案化至少一个目标，从至少一个目标能够推断感兴趣参数，所述目标图案化元件被配置为形成子分段式目标；以及产品图案化元件，其用于图案化所述产品结构；其中，所述目标图案化元件和产品图案化元件被配置为使得子分段式目标的子分段的周期特性的方向既不平行也不垂直于所述衬底上的所述产品结构。