[发明专利]制造针对太阳能电池板的图形覆盖基板的方法、太阳能电池板及其制造方法在审
申请号: | 202080048738.9 | 申请日: | 2020-04-09 |
公开(公告)号: | CN114097098A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 金忠义;崔正薰;金廷圭 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0203;H01L31/048;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 叶朝君;孙东喜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 针对 太阳能 电池板 图形 覆盖 方法 及其 | ||
1.一种制造用于太阳能电池板的图形覆盖基板的方法,该方法包括以下步骤:
施加覆盖层的步骤,在该步骤中,在转移构件上形成由陶瓷材料层构成的所述覆盖层;
转移步骤,在该步骤中,将所述覆盖层转移至基础构件;以及
强化步骤,在该步骤中,通过强化或半强化形成有所述覆盖层的所述基础构件来形成覆盖部分。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述覆盖部分由包括陶瓷熔块的陶瓷氧化物成分构成。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述基础构件包括玻璃基板,并且
所述覆盖部分由构成所述玻璃基板的一部分的一体部件构成。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,在施加所述覆盖层的步骤中,通过印刷工艺形成所述覆盖层。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,在施加所述覆盖层的步骤中,通过数字喷墨印刷工艺形成所述覆盖层。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述陶瓷材料层包括中心粒径为50μm或更大的颗粒。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述覆盖部分的厚度为20μm或更小。
8.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括以下步骤:
形成步骤,在该步骤中,在所述转移步骤与所述强化步骤之间形成所述基础构件。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,形成有所述覆盖部分的所述基础构件的一个表面具有高度差为5μm或更大的弯曲的、不平坦的或突出的部分。
10.一种制造太阳能电池板的方法,该方法包括以下步骤:
层叠步骤,在该步骤中,通过层叠第一覆盖构件、第一密封材料、太阳能电池部分、第一密封材料和第二覆盖构件来形成层叠结构;以及
层压步骤,在该步骤中,通过向所述层叠结构施加热和压力来进行集成,
其中,通过以下步骤形成所述第一覆盖构件:施加覆盖层的步骤,在该步骤中,在转移构件上形成由陶瓷材料层构成的所述覆盖层;转移步骤,在该步骤中,将所述覆盖层转移至基础构件;以及强化步骤,在该步骤中,通过强化或半强化形成有所述覆盖层的所述基础构件来形成覆盖部分。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述覆盖部分由包括陶瓷熔块的陶瓷氧化物成分构成。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述基础构件包括玻璃基板,并且
所述覆盖部分由构成所述玻璃基板的一部分的一体部件构成。
13.根据权利要求10所述的方法,其中,在施加所述覆盖层的步骤中,通过印刷工艺形成所述覆盖层。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,在施加所述覆盖层的步骤中,通过数字喷墨印刷工艺形成所述覆盖层。
15.根据权利要求10所述的方法,其中,所述覆盖部分的厚度为20μm或更小。
16.根据权利要求10所述的方法,所述方法还包括以下步骤:
形成步骤,在该步骤中,在所述转移步骤与所述强化步骤之间形成所述基础构件。
17.根据权利要求10所述的方法,其中,形成有所述覆盖部分的所述基础构件的一个表面具有高度差为5μm或更大的弯曲的、不平坦的或突出的部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的