[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202080048944.X | 申请日: | 2020-06-15 |
公开(公告)号: | CN114097083A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 小林英智;池田隆之 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;李啸 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
第一层;以及
所述第一层上的第二层,
其中,所述第一层包括排列成m行n列(m及n分别为1以上的整数且m与n的乘积为2以上)的第一电路,
所述第二层包括排列成m行n列的像素块,
所述各像素块包括排列成a行b列(a及b分别为1以上的整数)的像素,
所述像素块包括与所述像素电连接的第一布线及第二布线,
第i行j列(i为1以上且m以下的整数,j为1以上且n以下的整数)的所述像素块所包括的所述第一布线及所述第二布线与第i行j列的所述第一电路电连接,
所述第一布线具有将来自所述第一电路的输入信号供应到所述像素的功能,
并且,所述第二布线具有将来自所述像素的输出信号供应到所述第一电路的功能。
2.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述各第一电路包括校正数据生成电路、逻辑电路及源极驱动器电路,
所述校正数据生成电路具有将所述输出信号转换为校正数据的功能,
所述逻辑电路具有根据所述校正数据校正被输入到所述第一电路的视频信号并生成校正后视频信号的功能,
并且所述源极驱动器电路具有将所述校正后视频信号转换为所述输入信号的功能。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置,其中第i行j列的所述像素块具有与第i行j列的所述第一电路重叠的区域。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置,其中第p行q列(p为与i不同的1以上且m以下的整数,q为与j不同的1以上且n以下的整数)的所述像素块不与第p行q列的所述第一电路重叠。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置,
其中所述第二层还包括在列方向上排列的m个第二电路,
所述像素块包括与在行方向上排列的多个所述像素电连接的第三布线,
并且第i行的像素块中的所述第三布线与第i个所述第二电路电连接。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置,
其中所述第一层还包括在列方向上排列的m个第二电路,
所述像素块包括与在行方向上排列的多个所述像素电连接的第三布线,
并且第i行的像素块中的所述第三布线与第i个所述第二电路电连接。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中第i行j列的所述像素块具有与所述第二电路中的任一个以上重叠的区域。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的显示装置,
其中所述校正数据生成电路包括存储电路,
所述第一层包括第一电路层及所述第一电路层上的第二电路层,
所述第一电路层包括所述逻辑电路,
所述逻辑电路包括在沟道形成区域中含硅的晶体管,
所述第二电路层包括所述存储电路,
所述存储电路包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管,
并且所述金属氧化物包含In、元素M(M为Al、Ga、Y和Sn中的任一个以上)及Zn。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的显示装置,
其中所述像素包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管,
并且所述金属氧化物包含In、元素M(M为Al、Ga、Y和Sn中的任一个以上)及Zn。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的显示装置,
其中所述像素包括在沟道形成区域中含硅的晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的