[发明专利]具有介电层的半导体结构元件

权利要求书

1.一种半导体结构元件(200)，所述半导体结构元件包括：

至少一个介电层(230)，和

至少一个第一电极(202)和第二电极(201)，

其中，在所述介电层(230)中存在至少两种彼此不同的缺陷类型(212，215，217)，其中，所述至少两种不同的缺陷类型(212，215，217)根据在所述第一电极(202)与所述第二电极(201)之间施加的运行电压和当前的运行温度沿着分别具有平均有效间距a₀(210)的局部缺陷状态(235)向着所述两个电极(201，202)中的一个电极运动，其中，适用的是a₀(210)3.2nm。

2.根据权利要求1所述的半导体结构元件(200)，其特征在于，适用的是，a₀(210)3.24nm。

3.根据权利要求1或2所述的半导体结构元件(200)，其特征在于，在所述介电层(230)中存在至少三种彼此不同的缺陷类型(212，215，217)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体结构元件(200)，其特征在于，所述介电层(230)构造为多晶氧化高k电介质、尤其构造为PZT层或KNN层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构元件(200)，其特征在于，所述介电层(230)构造为经溅射的PZT层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构元件(200)，其特征在于，所述经溅射的PZT层具有小于500℃的沉积温度。

7.根据权利要求5或6中任一项所述的半导体结构元件(200)，其特征在于，所述经溅射的PZT层具有Pb_1.3(Zr_0.52Ti_0.48)O₃的组成。