[发明专利]互补流体逻辑和存储器装置

权利要求书

1.一种流体装置，该装置包括：

第一入口通道，所述第一入口通道被配置为将呈现第一压力的第一流体输送到所述流体装置中；

第二入口通道，所述第二入口通道被配置为将呈现第二压力的第二流体输送到所述流体装置中；

输出通道，所述输出通道被配置为将所述第一流体或所述第二流体之一输送出所述流体装置；以及

活塞，其能够在第一位置和第二位置之间移动，所述第一位置抑制流体通过所述第二入口通道流到所述输出通道，所述第二位置抑制流体通过所述第一入口通道流到所述输出通道，其中所述活塞在所述第一位置和所述第二位置之间的移动由施加到所述活塞的第一控制门的第一控制压力和施加到第二控制门的第二控制压力之间的差值确定。

2.根据权利要求1所述的流体装置，其中：

所述第一控制门包括第一表面积，所述第一表面积被配置为与所述第一控制压力相界面结合，所述第一控制压力在被施加到所述第一表面积时，迫使所述活塞朝向所述第一位置移动，以允许所述第一入口通道将所述第一流体传送到所述输出通道并抑制所述第二入口通道中的流体流动；并且

所述第二控制门包括第二表面积，所述第二表面积被配置为与所述第二控制压力相界面结合，所述第二控制压力在被施加到所述第二表面积时，迫使所述活塞朝向所述第二位置移动，以允许所述第二入口通道将所述第二流体传送到所述输出通道并抑制所述第一入口通道中的流体流动。

3.根据权利要求2所述的流体装置，以及下列项中的任一项或更多项：

a)其中所述第一表面积大于所述第二表面积，并且所述第二控制压力是预载压力，所述预载压力被配置为在所述第一控制压力不足够高到克服所述预载压力的情况下将所述活塞定位在所述第二位置；或者

b)其中所述流体装置是互补流化器(“cFET”)，并且流体系统包括：

所述cFET；和

另外的cFET，所述另外的cFET包括：

第三入口通道，其被配置为将第三流体传送到第二输出通道；

第四入口通道，其被配置为将第四流体传送到所述第二输出通道；以及

第二活塞，其联接到第三控制门和第四控制门，其中所述第二活塞能够在第三位置和第四位置之间移动，所述第三位置抑制流体在所述第四入口通道中流向所述第二输出通道，所述第四位置抑制流体从所述第三入口通道流向所述第二输出通道，其中所述第二活塞在所述第三位置和所述第四位置之间的移动由施加到所述第三控制门的第三控制压力和施加到所述第四控制门的第四控制压力之间的差值确定，

其中所述第三控制门包括第三表面积，所述第三表面积配置为与所述第三控制压力相界面结合，所述第三控制压力在被施加到所述第三表面积时，迫使所述第二活塞朝向所述第三位置移动，

其中所述第四控制门包括第四表面积，所述第四表面积配置为与第四控制压力相界面结合，所述第四控制压力在被施加到所述第四表面积时，迫使所述第二活塞朝向所述第四位置移动，并且

其中所述输出通道被配置为将所述第一流体或所述第二流体中的至少一种输送到所述第三入口通道、所述第四入口通道、所述第三控制门或所述第四控制门之一。

4.一种流体逻辑门装置，包括：

多个流体互连的互补流化器(“cFET”)，每个cFET包括：

第一入口通道，其被配置为将流体流动传送到输出通道；

第二入口通道，其被配置为将流体流传送到所述输出通道；以及

活塞，其能够在第一位置和第二位置之间移动，所述第一位置抑制通过所述第二入口通道的流体流动，所述第二位置抑制通过所述第一入口通道的流体流动，其中所述活塞在所述第一位置和所述第二位置之间的移动由施加到所述活塞的第一控制门的第一表面积的第一控制压力和施加到所述活塞的第二控制门的第二表面积的第二控制压力之间的差值来确定。

5.根据权利要求4所述的流体逻辑门系统，

其中所述多个cFET中的每个cFET的每个活塞还包括：

所述第一控制门的第一限制门传动元件，所述第一限制门传动元件被配置为当所述活塞处于所述第二位置时抑制通过所述第一入口通道的流体流动；和

所述第二控制门的第二限制门传动元件，所述第二限制门传动元件被配置为当所述活塞处于所述第一位置时抑制通过所述第二入口通道的流体流动。