[发明专利]高电流离子植入器以及使用高电流离子植入器控制离子束的方法

权利要求书

1.一种离子植入系统，包括：

接收离子束的静电透镜，所述静电透镜包括沿着离子束线的一侧设置的第一多个导电束光学器件及沿着所述离子束线的第二侧设置的第二多个导电束光学器件；以及

与所述静电透镜连通的电源供应器，所述电源供应器能够操作以向所述第一多个导电束光学器件及所述第二多个导电束光学器件中的至少一者供应电压及电流，其中所述电压及所述电流使所述离子束偏转束偏转角度，且其中所述离子束在所述静电透镜内被加速然后被减速。

2.根据权利要求1所述的离子植入系统，还包括位于所述静电透镜与晶片之间的等离子体泛射式枪，其中所述等离子体泛射式枪及所述晶片相对于所述离子束线以一定角度取向。

3.根据权利要求2所述的离子植入系统，其中所述晶片被接地，且其中沿着所述离子束线的质量分析器及准直器处于正电势下。

4.根据权利要求3所述的离子植入系统，其中所述正电势大于或等于所述第一多个导电束光学器件及所述第二多个导电束光学器件的电势。

5.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述正电势大于围绕所述第一多个导电束光学器件及所述第二多个导电束光学器件的腔室壁的电势。

6.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述离子束以大于0kV的束电势进入所述静电透镜。

7.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述第一多个导电束光学器件被接地。

8.根据权利要求7所述的离子植入系统，其中所述电压及所述电流仅被递送到所述第二多个导电束光学器件。

9.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述第一多个导电束光学器件及所述第二多个导电束光学器件没有任何抑制电极。

10.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述第一多个导电束光学器件相对于所述第二多个导电束光学器件以不对称配置布置。

11.根据权利要求1所述的离子植入系统，还包括入口隧道，所述入口隧道具有延伸到由腔室壁界定的腔室中的入口轴线；及

出口隧道，连接到所述腔室且界定出口轴线，其中所述入口轴线及所述出口轴线界定所述束偏转角度，其之间的所述束偏转角度为至少30度。

12.一种透镜，包括：

界定腔室的腔室壁；

位于所述腔室内的第一多个电极及第二多个电极，所述静电透镜从离子源接收离子束，其中所述第一多个电极沿着离子束线的一侧设置，其中所述第二多个电极沿着所述离子束线的第二侧设置，其中向所述第一多个电极及所述第二多个电极中的至少一者供应电压及电流，以使所述离子束偏转束偏转角度，且其中当所述离子束穿过所述腔室时，所述离子束被加速然后被减速。

13.根据权利要求12所述的透镜，其中所述晶片被接地，且其中沿着所述离子束线的质量分析器及准直器处于正电势下，且其中所述正电势大于或等于所述第一多个电极及所述第二多个电极的电势。

14.根据权利要求12所述的透镜，其中所述正电势大于所述腔室壁的电势。

15.根据权利要求12所述的透镜，其中所述离子束以20kV与85kV之间的束电势进入所述静电透镜。

16.根据权利要求12所述的透镜，其中所述第一多个电极被接地。

17.根据权利要求16所述的透镜，其中所述电压及所述电流仅被递送到所述第二多个电极。