[发明专利]紧密后端工艺间距的梯形互连件

权利要求书

1.一种用于形成互连结构的方法，所述方法包括以下步骤：

在电介质中图案化至少一个沟槽，其中，所述至少一个沟槽被图案化为具有圆形底部的V形轮廓；

使用物理气相沉积PVD将衬垫沉积到所述至少一个沟槽中并对所述至少一个沟槽加衬，所述物理气相沉积打开所述至少一个沟槽，从而在所述至少一个沟槽中产生梯形轮廓；

相对于所述电介质选择性地从所述至少一个沟槽去除所述衬垫，由此在去除之后，具有所述梯形轮廓的所述至少一个沟槽保留在所述电介质中；

将共形阻挡层沉积到具有所述梯形轮廓的所述至少一个沟槽中并对所述至少一个沟槽加衬；

在所述共形阻挡层之上沉积导体至并填充具有所述梯形轮廓的所述至少一个沟槽；以及

将所述导体和所述共形阻挡层向下抛光至所述电介质。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质选自由以下组成的组：氧化硅(SiOx)、有机硅酸盐玻璃(SiCOH)、多孔有机硅酸盐玻璃(pSiCOH)以及它们的组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬垫包括选自由钽(Ta)、氮化钽(TaN)、氮化钛(TiN)、以及它们的组合组成的组中的材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬垫具有大于的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬垫具有从到的厚度，并且在其间的范围变动。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述共形阻挡层包括从由Ta、TaN、TiN及其组合构成的组中选择的材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述共形阻挡层具有小于的厚度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述共形阻挡层具有从至的厚度，并且在其间的范围变动。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述共形阻挡层使用PVD、原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)来沉积。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导体选自由以下组成的组：钴(Co)、钌(Ru)、以及它们的组合。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导体包括铜(Cu)。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括以下步骤：

在所述阻挡层之上将共形润湿层沉积到具有所述梯形轮廓的所述至少一个沟槽中，其中所述共形润湿层在所述导体之前被沉积。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述共形润湿层包括选自由以下各项组成的组中的材料：Co、Ru、以及它们的组合。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述共形润湿层具有小于的厚度。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述共形润湿层具有从至的厚度，并且在其间的范围变动。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述共形润湿层是使用ALD或CVD来沉积的。

17.一种互连结构，包括：

具有梯形轮廓的在电介质中图案化的至少一个沟槽；

共形阻挡层，所述共形阻挡层内衬具有所述梯形轮廓的所述至少一个沟槽，其中，所述共形阻挡层包括从由Ta、TaN、TiN及其组合构成的组中选择的材料，并且其中，所述共形阻挡层具有小于的厚度；以及

导体，设置在具有所述梯形轮廓的所述至少一个沟槽中的所述共形阻挡层上。