[发明专利]固态图像传感器在审
申请号: | 202080051923.3 | 申请日: | 2020-07-02 |
公开(公告)号: | CN114127941A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 斋藤槙子;池户秀树 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 图像传感器 | ||
1.一种固态图像传感器,包括:
第一区域,其包括多个像素和像素分离部件,所述多个像素各自包括光电转换元件并接收来自被摄体的光,所述像素分离部件用于拦截所述多个像素之间的光并为各个像素遮光;
第二区域,其设置在所述第一区域外部;以及
遮光部件,其设置在所述第一区域与所述第二区域之间的至少部分区域中,并且防止来自所述第一区域和所述第二区域中的一者的光入射到所述第一区域和所述第二区域中的另一者,
所述固态图像传感器的特征在于,所述遮光部件以在设置有所述光电转换元件的半导体基板的深度方向上延伸的状态下设置在所述半导体基板中,并且所述遮光部件被形成为在构造上与所述像素分离部件不同。
2.根据权利要求1所述的固态图像传感器,其特征在于,所述第二区域包括遮光像素,所述遮光像素被遮光以使得来自被摄体的光不会入射到所述遮光像素。
3.根据权利要求1所述的固态图像传感器,其特征在于,所述第一区域还包括遮光像素,并且所述第二区域包括不构成所述像素的电路元件,所述遮光像素被遮光以使得来自被摄体的光不会入射到所述遮光像素。
4.根据权利要求3所述的固态图像传感器,其特征在于,所述遮光部件防止由所述电路元件产生的光入射到所述第一区域。
5.根据权利要求3或4所述的固态图像传感器,其特征在于,所述第二区域包括信号处理部件、控制部件和电源部件中的至少一者作为所述电路元件,所述信号处理部件用于处理来自所述像素的信号,所述控制部件用于向像素或所述信号处理部件供给控制信号,所述电源部件向所述像素、所述信号处理部件或所述控制部件供电。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的固态图像传感器,其特征在于,所述遮光部件在所述半导体基板的深度方向上延伸的深度不同于所述像素分离部件在所述半导体基板的深度方向上延伸的深度。
7.根据权利要求6所述的固态图像传感器,其特征在于,与所述像素分离部件在所述半导体基板的深度方向上延伸的深度相比,所述遮光部件在所述半导体基板的深度方向上延伸的深度更深。
8.根据权利要求1至5中的任一项所述的固态图像传感器,其特征在于,用于形成所述遮光部件的材料不同于用于形成所述像素分离部件的材料。
9.根据权利要求8所述的固态图像传感器,其特征在于,用于形成所述遮光部件的材料的透射率比用于形成所述像素分离部件的材料的透射率低。
10.根据权利要求1至5中的任一项所述的固态图像传感器,其特征在于,所述遮光部件在所述半导体基板的平面方向上的宽度不同于所述像素分离部件在所述半导体基板的平面方向上的宽度。
11.根据权利要求10所述的固态图像传感器,其特征在于,与所述像素分离部件在所述半导体基板的平面方向上延伸的宽度相比,所述遮光部件在所述半导体基板的平面方向上的宽度更宽。
12.根据权利要求1至5中的任一项所述的固态图像传感器,其特征在于,所述遮光部件被设置的数量不同于所述像素分离部件被设置的数量。
13.根据权利要求12所述的固态图像传感器,其特征在于,所述遮光部件被设置的数量比所述像素分离部件被设置的数量多。
14.根据权利要求1至13中的任一项所述的固态图像传感器,其特征在于,与所述遮光部件相邻的像素不包括所述光电转换元件。
15.根据权利要求1至14中的任一项所述的固态图像传感器,其特征在于,所述半导体基板包括布置有用于发送来自所述像素的信号的配线的配线层,并且来自被摄体的光从相对于包括所述配线层的表面的相反侧的表面入射到所述像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的