[发明专利]薄膜箔及制造薄膜箔的方法

权利要求书

1.一种制造薄膜箔的方法，所述方法包括以下步骤：

准备具有剥离性能的基底基板；

准备金属原料；

通过在所述基底基板上真空沉积所述金属原料来在所述基底基板上形成金属层；以及

将所述基底基板与所述金属层分离以形成薄膜箔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述准备基底基板的步骤中，准备特氟隆膜、涂覆特氟隆的聚酰亚胺(PI)、聚酰亚胺(PI)、溅射滑移合金的铝箔、涂覆硅的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和硅膜中的一种作为所述基底基板。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述准备金属原料的步骤中，准备BeCu合金、Cu-Ag-Cr三元合金、Ag合金、CuMo合金和CuFeP合金中的一种作为所述金属原料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述准备金属原料的步骤包括准备第一金属原料的步骤，

其中，在所述准备第一金属原料的步骤中，准备铜、BeCu合金、Cu-Ag-Cr三元合金、Ag合金、CuMo合金和CuFeP合金中的一种作为所述第一金属原料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述准备金属原料的步骤还包括准备第二金属原料的步骤，

其中，在所述准备第二金属原料的步骤中，准备镍铜合金、铜钼合金和因瓦合金中的一种作为第二金属原料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述形成金属层的步骤中，交替地真空沉积所述第一金属原料和所述第二金属原料以形成具有多个层的金属层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述形成金属层的步骤中，形成铜层和镍铜合金层重复堆叠的金属层。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述形成金属层的步骤中，形成铜层和铜钼合金层重复堆叠的金属层。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述形成金属层的步骤中，形成铜层和因瓦合金层重复堆叠的金属层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述通过在所述基底基板上真空沉积所述金属原料来在所述基底基板上形成金属层的步骤中，通过用疏水性等离子体处理所述基底基板并在所述疏水性等离子体处理过的基底基板上真空沉积所述金属原料，以在所述基底基板上形成金属层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述通过在所述基底基板上真空沉积所述金属原料来在所述基底基板上形成金属层的步骤中，通过用丙烯酸类粘合剂和聚氨酯类粘合剂中的一种粘合剂涂覆所述基底基板并在所述粘合剂上真空沉积所述金属原料，以在所述基底基板上形成金属层。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述通过在所述基底基板上真空沉积所述金属原料来在所述基底基板上形成金属层的步骤中，所述金属层形成为具有5μm或更小的厚度。

13.一种薄膜箔，由厚度为5μm或更小的金属层形成，

其中，所述金属层包括BeCu合金、Cu-Ag-Cr三元合金、Ag合金、CuMo合金以及Cu和CuFeP合金中的至少一种。

14.根据权利要求13所述的薄膜箔，其中，所述金属层形成为单层或多层结构。