[发明专利]压电涂层和沉积工艺在审
申请号: | 202080052311.6 | 申请日: | 2020-07-15 |
公开(公告)号: | CN114096695A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | A·马扎莱;V·莱比希;B·海因茨 | 申请(专利权)人: | 瑞士艾发科技 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/34;C23C14/35 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 童春媛;杨思捷 |
地址: | 瑞士特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 涂层 沉积 工艺 | ||
1.具有用压电涂层(I)涂覆的表面的基材,所述涂层包含A1-xMexN,其中A为B、Al、Ga、In、Tl中的至少一种,且Me为来自过渡金属族3b、4b、5b、6b、镧系和镁的至少一种金属元素,所述涂层(I)厚度为d,且还包含过渡层(3),其中Me的原子百分数与A的原子百分数的比率沿着所述涂层的厚度范围δ3稳定上升,对于厚度范围δ3,以下是有效的:
δ3 ≤ d。
2.根据权利要求1所述的基材,其中Me为Sc、Mg、Hf和Y中的至少一种。
3.根据前述权利要求中一项所述的基材,其中Me为Sc。
4.根据前述权利要求中一项所述的基材,其中所述涂层还包含终止于所述过渡层(3)的所述稳定上升的起点的种子层(2),其中沿着种子层的厚度范围δ2,所述比率是恒定的。
5.根据前述权利要求中一项所述的基材,其中所述涂层还包含起始于所述过渡层(3)的所述稳定上升的终点的顶层(4),其中沿着顶层的厚度范围δ4,所述比率是恒定的。
6.根据前述权利要求中一项所述的基材,其中所述过渡层(3)起始和/或终止于所述涂层的限制性表面之一。
7.根据前述权利要求中一项所述的基材,其中
δ3 = d。
8.根据前述权利要求中一项所述的基材,其中过渡层(3)的所述稳定上升以所述比率为零起始。
9.根据前述权利要求中一项所述的基材,所述稳定上升为至少近似线性。
10.根据前述权利要求中一项所述的基材,其中所述涂层还包含直接沉积在基材表面上的粘附层(1)。
11.根据权利要求10所述的基材,其中所述过渡层直接沉积在所述粘附层上。
12.根据权利要求10或11所述的基材,其中所述粘附层(1)由以下材料中的至少一种组成:Si、Mo、W、Pt、Ru、Ti。
13.根据权利要求4-12中一项所述的基材,其中所述种子层(2)直接沉积在基材(S)表面之一上。
14.根据前述权利要求中一项所述的基材,其中所述过渡层直接沉积在基材表面之一上。
15.根据前述权利要求中一项所述的基材,所述基材包含种子层和粘附层,所述粘附层直接沉积在所述基材的一个表面上,且所述种子层直接沉积在所述粘附层上。
16.根据前述权利要求中一项所述的基材,所述基材包含直接沉积在所述基材的一个表面上的粘附层,所述过渡层直接沉积在所述粘附层上。
17.根据前述权利要求中一项所述的基材,其中至少要被涂覆的基材表面由Si、SiOx或GaAs组成。
18.根据前述权利要求中一项所述的基材,其中所述基材包含预涂层,且压电涂层(I)直接沉积在预涂层上。
19.根据前述权利要求中一项所述的基材,其中所述过渡层(3)的所述稳定上升的终点处的所述比率高于26% Me,优选等于或高于30% Me。
20.根据前述权利要求中一项所述的基材,其中过渡层(3)和顶层(4)之一的表面在任意5 µm x 5 µm表面区域内具有少于50个毛刺的均匀表面品质。
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