[发明专利]透明导电性薄膜

说明书

透明导电性薄膜(1)依次具备：玻璃基材(2)和透明导电层(3)。透明导电层(3)的550nm下的反射率为12％以下。透明导电层(3)的厚度为规定的范围。

技术领域

本发明涉及透明导电性薄膜，详细地涉及适合用于光学用途的透明导电性薄膜。

背景技术

一直以来，由铟锡复合氧化物(ITO)形成的透明导电层形成于期望的电极图案的透明导电性薄膜被用于触摸面板等光学用途。

作为这种透明导电性薄膜，例如提出了一种透明导电性薄膜，其具备：透明塑料薄膜；和，具有200nm的厚度、且具有86％的总透光率的透明导电性薄膜(例如参照专利文献1的实施例1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-177161公报

发明内容

发明要解决的问题

近年来，对透明导电性薄膜要求进一步高的总透光率。

为了提高总透光率，研究了减少透明导电层中吸收的光的量、且减少透明导电层中反射的光的量。

而且，为了减少透明导电层中吸收的光的量，研究了减小透明导电层的厚度，但如果减小透明导电层的厚度，则有表面电阻值变大之类的不良情况。

另外，如果减小透明导电层的厚度，则透明导电层中吸收的光的量可以少，另一方面，透明导电层中反射的光的量有时增加，作为结果，有无法提高总透光率之类的不良情况。

本发明提供：透明导电层的厚度被调整为规定的范围、550nm下的反射率低、且表面电阻值低的透明导电性薄膜。

用于解决问题的方案

本发明[1]为一种透明导电性薄膜，其依次具备：玻璃基材和透明导电层，前述透明导电层的550nm下的反射率为12％以下，前述透明导电层的厚度的下限A(nm)用下述式(1)表示，前述透明导电层的厚度的上限B(nm)用下述式(2)表示。

A(nm)＝150n-30 (1)

(上述式(1)中，n表示1以上的整数。)

B(nm)＝150n+10 (2)

(上述式(2)中，n表示1以上的整数。)

发明的效果

本发明的透明导电性薄膜中，透明导电层的厚度被调整为规定的范围。

由此，能够降低透明导电层的550nm下的反射率。

具体而言，透明导电层的550nm下的反射率为12％以下，因此，能够提高总透光率。

另外，透明导电层的厚度至少为120nm以上(具体而言，上述式(1)中，n为1的情况)。因此，能够降低表面电阻值。

其结果，透明导电性薄膜中，能够降低550nm下的反射率，且能够降低表面电阻值。

附图说明

图1示出本发明的透明导电性薄膜的一实施方式的截面图。

图2示出涉及反射率相对于ITO层的厚度的模拟中使用的仿真模型图。

图3示出反射率相对于ITO层的厚度的模拟结果。

图4示出表示实测反射率和模拟反射率的结果的图。

具体实施方式

参照图1，对本发明的透明导电性薄膜的一实施方式进行说明。