[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

说明书

一种基板处理方法，包括：准备层叠基板，该层叠基板包括被分割为多个芯片的第一基板、按每个所述芯片完成分割且用于保护所述芯片的保护膜、用于支承所述第一基板的第二基板、以及将所述保护膜与所述第二基板粘接的粘接膜；利用透过所述第二基板的光线来使所述粘接膜的粘接力下降；以及利用拾取部从所述粘接膜拾取与所述粘接膜之间的粘接力下降后的所述保护膜和所述芯片。

技术领域

本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。

背景技术

专利文献1中记载的半导体晶圆的分割方法具有一体化工序、研磨工序、分割工序以及拾取工序。在一体化工序中，使半导体晶圆的表面面对用于支承半导体晶圆的支承基板的上表面，并经由粘合剂将半导体晶圆与支承基板一体化。在研磨工序中，对与支承基板一体化后的半导体晶圆的背面进行研磨。在分割工序中，将与支承基板一体化后的半导体晶圆从背面侧分割成各个半导体芯片。在拾取工序中，从支承基板拾取半导体芯片。在拾取之前，向粘合剂提供紫外线等外部刺激来使粘合力下降。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-207607号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开的一个方式提供一种能够在拾取前照射用于使粘接力下降的光线时抑制芯片的器件的劣化的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式所涉及的基板处理方法包括：

准备层叠基板，该层叠基板包括被分割为多个芯片的第一基板、按每个所述芯片完成分割且用于保护所述芯片的保护膜、用于支承所述第一基板的第二基板、以及将所述保护膜与所述第二基板粘接的粘接膜；

利用透过所述第二基板的光线来使所述粘接膜的粘接力下降；以及

利用拾取部从所述粘接膜拾取与所述粘接膜之间的粘接力下降后的所述保护膜和所述芯片。

发明的效果

根据本公开的一个方式，能够在拾取前照射用于使粘接力下降的光线时抑制芯片的器件的劣化。

附图说明

图1是示出一个实施方式所涉及的基板处理方法的流程图。

图2的(A)是示出图1的S101的图，图2的(B)是示出图1的S102的图，图2的(C)是示出图1的S103的图。

图3的(A)是示出图1的S104的图，图3的(B)是示出图1的S105的图，图3的(C)是示出图1的S106的图。

图4是示出分割前的第一基板的第一主表面的一例的俯视图。

图5是示出一个实施方式所涉及的基板处理装置的俯视图。

图6是示出在图1的S101之前进行的处理的第一例的流程图。

图7的(A)是示出图6的S201的图，图7的(B)是示出图6的S202的图，图7的(C)是示出图6的S203的图，图7的(D)是示出图6的S204的图。

图8的(A)是示出图6的S205的图，图8的(B)是示出图6的S206的图，图8的(C)是示出图6的S207的图。

图9是示出在图1的S101之前进行的处理的第二例的流程图。

图10的(A)是示出图9的S305的图，图10的(B)是示出图9的S306的图，图10的(C)是示出图9的S307的图，图10的(D)是示出图9的S308的图。

图11是示出在图1的S101之前进行的处理的第三例的流程图。