[发明专利]用于薄膜沉积的新V族和VI族过渡金属前体

权利要求书

1.一种前体，所述前体具有选自以下的化学结构：

A

B

C

D

E

F

和

G

其中：

M₁选自钒、钽、铌、铬、钼和钨；

X是选自氯原子(Cl)、溴原子(Br)和碘原子(I)的卤原子；

对于A和B，R¹是直链或支链C₁-C₁₀烷基、氨基或醚基；而对于C和G，R¹是直链或支链C₁-C₁₀烷基、氨基或醚基，但不是叔丁基；

R²是直链或支链C₂-C₁₀亚烷基；

R³、R⁴和R⁶独立地选自直链或支链C₁-C₁₀烷基、氨基和醚基；

R⁵选自氢和直链或支链C₁-C₁₀烷基；

L选自R¹、OR¹和NR¹R³；

L₁是取代或未取代的环戊二烯基配体；

L₂是NR¹R³；

m的值为0、1或2；和

n的值为1、2、3或4。

2.如权利要求1所述的前体，其中所述前体具有结构B；其中M₁是钒；R²是直链C₂亚烷基；R¹和R³是甲基；R⁵是氢，并且R⁴和R⁶选自相同的直链C₁至C₂烷基。

3.如权利要求1所述的前体，其中所述前体具有结构C；其中：M₁是钒；并且R¹选自仲丁基(Bu^s)和叔戊基(Amyl^t)。

4.如权利要求1所述的前体，其中所述前体具有结构C并且选自

5.如权利要求1所述的前体，其中所述前体具有结构D；其中：M₁是钒；R²为直链或支链C₂至C₃亚烷基，并且R³为直链C₁至C₂烷基。

6.如权利要求1所述的前体，其中所述前体具有结构E；其中：M₁是钒；并且R¹和R³选自相同的直链或支链的C₁至C₃烷基。

7.如权利要求1所述的前体，其中所述前体具有结构F；其中m的值为0，n的值为3，并且R¹和R³独立地选自甲基和乙基。

8.如权利要求1所述的前体，其中所述前体具有结构F；其中m的值为1，n的值为2，并且R¹和R³独立地选自甲基和乙基。

9.如权利要求1所述的前体，其中所述前体具有结构G并且选自：

10.如权利要求1所述的前体，其中所述前体选自三氯(叔戊基亚氨基)钒；三氯(仲丁基亚氨基)钒；和叔戊基亚氨基-三(二甲基氨基)钒。