[发明专利]半导体器件的控制

权利要求书

1.一种电路，所述电路包括第一MOS器件和偏压控制器，其中：

所述电路被配置为能够以第一电路状态和第二电路状态操作，在所述第一电路状态下，所述第一MOS器件活动以促成第一信号，在所述第二电路状态下，所述第一MOS器件不促成所述第一信号；

所述偏压控制器被配置为能够操作来控制在所述第一MOS器件的一个或多个端子处的电压以在所述第二电路状态的实例期间向所述第一MOS器件施加预偏压，其中所述预偏压被施加来设置所述第一MOS器件内的电荷载流子陷阱的占用状态，以在所述第一电路状态下的后续操作期间限制来自所述第一MOS器件的噪声；并且

所述偏压控制器被配置为使得所述预偏压的至少一个参数是基于一个或多个操作条件在使用中选择性地可变的。

2.如权利要求1所述的电路，其中所述一个或多个操作条件包括影响所述第一MOS器件内的所述电荷载流子陷阱的电荷载流子俘获的动力学的操作条件。

3.如权利要求1或权利要求2所述的电路，其中所述一个或多个操作条件中的一者包括温度，并且所述偏压控制器被配置为从温度传感器接收温度的指示。

4.如任一前述权利要求所述的电路，其中所述一个或多个操作条件中的一者包括监测的噪声的指示。

5.如权利要求4所述的电路，其中所述监测的噪声的指示从得自所述第一信号的反馈信号确定。

6.如权利要求4所述的电路，其中所述监测的噪声的指示从得自包括至少一个测试MOS器件的测试模块的一个或多个测试信号确定。

7.如任一前述权利要求所述的电路，其中所述一个或多个操作条件中的一者包括用于包括所述电路的系统的操作模式。

8.如权利要求7所述的电路，其中所述系统能够以多个不同模式操作，并且其中所述不同模式具有对以下至少一者的不同要求：噪声性能或信号质量；功耗；以及操作速率。

9.如任一前述权利要求所述的电路，其中所述偏压控制器被配置为控制向所述第一MOS器件施加的偏压电压的幅值作为所述预偏压的参数。

10.如任一前述权利要求所述的电路，其中所述偏压控制器被配置为控制向所述第一MOS器件施加的偏压电压的持续时间作为所述预偏压的参数。

11.如任一前述权利要求所述的电路，其中所述偏压控制器被配置为控制在所述预偏压向所述第一MOS器件的连续施加之间的持续时间作为所述预偏压的参数。

12.如任一前述权利要求所述的电路，其中所述偏压控制器被配置为控制向所述第一MOS器件施加的偏压电压的波形的形状作为所述预偏压的参数。

13.如任一前述权利要求所述的电路，其中所述第一信号是模拟信号。

14.如任一前述权利要求所述的电路，其中所述电路被配置为以状态序列操作，所述状态序列包括所述第二电路状态的至少一个实例，无论在所述第二电路状态的实例期间是否施加预偏压。

15.如任一前述权利要求所述的电路，其中所述偏压控制器被配置为能够操作来控制在至少一个附加MOS器件的一个或多个端子处的电压，以向所述至少一个附加MOS器件施加预偏压。

16.如任一前述权利要求所述的电路，其中所述偏压控制器包括处理器，所述处理器被配置为接收至少一个操作条件的指示并且确定要施加的所述预偏压的所述至少一个参数。

17.如权利要求16所述的电路，其中所述偏压控制器包括用于基于所述确定的至少一个参数来控制向所述第一MOS器件的端子施加的至少一个电压的电压控制器。