[发明专利]平衡针对双能量X射线成像系统的X射线输出在审

专利信息
申请号: 202080052855.2 申请日: 2020-07-21
公开(公告)号: CN114402411A 公开(公告)日: 2022-04-26
发明(设计)人: R·K·O·贝林;S·霍尔茨阿普费尔 申请(专利权)人: 皇家飞利浦有限公司
主分类号: H01J35/14 分类号: H01J35/14;A61B6/00;H05G1/58
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘兆君
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 平衡 针对 能量 射线 成像 系统 输出
【权利要求书】:

1.一种用于生成第一能谱和第二能谱的X射线辐射的X射线源(100),所述X射线源包括:

阴极(101),其用于发射电子束(130、140);

阳极(102),其用于将所述电子束至少部分地转换成X射线辐射;

电子光学器件(110),其被配置为控制所述电子束的电子冲击到所述阳极上的撞击角度(131、141);

电源,其被配置为在所述阴极与所述阳极之间施加第一管电压和第二管电压,所述第二管电压高于所述第一管电压;以及

控制电路(104),其被操作性地耦合到所述电子光学器件;

其中,所述控制电路被配置为控制所述电子光学器件,使得:当施加所述第一管电压时,所述电子束的所述电子以第一平均撞击角度(131)冲击到所述阳极上;并且当施加所述第二管电压时,所述电子束的所述电子以第二平均撞击角度(141)冲击到所述阳极上;并且

其中,所述第二平均撞击角度小于所述第一平均撞击角度。

2.根据权利要求1所述的X射线源(100),

其中,所述电子束(140)的电子冲击到所述阳极(102)上的所述第二平均撞击角度(141)小于70度。

3.根据权利要求1或2中的任一项所述的X射线源(100),

其中,当施加所述第一管电压时,所述电子束的所述电子冲击到所述阳极(102)的第一表面部分上;并且当施加所述第二管电压时,所述电子束的所述电子冲击到所述阳极的第二表面部分上;并且

其中,所述第一表面部分与所述第二表面部分交叠。

4.根据权利要求3所述的X射线源(100),

其中,所述阳极(102)的所述第一表面部分的中心与所述阳极的所述第二表面部分的中心重合。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线源(100),

其中,所述电子光学器件(110)包括第一偏转设备(111)和第二偏转设备(112),其中,所述第一偏转设备能在第一状态与第二状态之间切换;

其中,所述控制电路(104)被配置为根据将所述电源从所述第一管电压切换到所述第二管电压来将所述第一偏转设备从所述第一状态切换到所述第二状态;并且

其中,当所述第一偏转设备在所述第二状态中时,所述第一偏转设备和所述第二偏转设备提供对所述电子束的偏转。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线源(200),

其中,所述电子光学器件(210)包括聚焦设备(214)和散焦设备(213),其中,所述电子光学器件能在第三状态与第四状态之间切换;

其中,所述控制电路(104)被配置为根据将所述电源从所述第一管电压切换到所述第二管电压来将所述电子光学器件从所述第三状态切换到所述第四状态;并且

其中,在所述第四状态中,所述散焦设备首先提供对所述电子束的拓宽,并且所述聚焦设备随后提供对经拓宽的电子束的聚焦。

7.根据权利要求6所述的X射线源(200),

其中,与当所述电子光学器件(210)在所述第三状态中时相比,当所述电子光学器件在所述第四状态中时,所述散焦设备(213)提供对所述电子束的更强的拓宽。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线源(100、200),

其中,所述阳极包括基板(301),所述基板至少部分地涂覆有第一涂层和第二涂层,所述第一涂层(302)被布置在所述第二涂层(303)与所述基板之间;

其中,所述基板包括第一材料以生成X射线辐射;

其中,所述第一涂层包括第二材料,所述第二材料对于X射线辐射和所述电子束的所述电子是透明的;

其中,所述第二涂层包括第三材料以生成X射线辐射;并且

其中,X射线过滤器(304)被附接到所述第二涂层以过滤在所述第二涂层中生成的X射线辐射。

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