[发明专利]使用写入事务数据选择读取电压

说明书

一种系统包含存储器组件；以及处理装置，其与所述存储器组件操作性地耦合。所述处理装置用以接收对存储于所述存储器组件的物理地址处的数据执行读取操作的请求，且确定所述数据是否满足关于所述数据何时写入到所述物理地址的阈值准则。响应于所述数据满足所述阈值准则，所述处理装置用以使用第一读取电压电平对存储于所述物理地址处的所述数据执行所述读取操作，且响应于所述数据不满足所述阈值准则，使用第二读取电压电平对存储于所述物理地址处的所述数据执行所述读取操作。

技术领域

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更确切地说涉及使用写入事务数据选择读取电压。

背景技术

存储器子系统可为存储系统、存储器模块或存储装置与存储器模块的混合。存储器子系统可包含一或多个存储数据的存储器组件。存储器组件可例如是非易失性存储器组件和易失性存储器组件。大体来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器组件处存储数据且从存储器组件检索数据。

附图说明

根据下文提供的具体实施方式和本公开的各种实施例的附图将更加充分地理解本公开。

图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算环境。

图2为根据本公开的一些实施例的用以使用写入事务数据选择读取电压的实例方法的流程图。

图3为说明根据本公开的一些实施例的针对三个读取电压电平随写读延迟而变的位错误率的曲线图。

图4为说明根据本公开的一些实施例的用以使用写入事务目录选择读取电压的实例数据流的框图。

图5为根据本公开的一些实施例的用以使用写入事务目录选择读取电压的实例方法的流程图。

图6A说明根据本公开的一些实施例的实例写入事务目录。

图6B说明根据本公开的一些实施例的实例写入事务目录。

图7为其中可操作本公开的实施例的实例计算机系统的框图。

具体实施方式

本公开的方面涉及使用写入事务数据选择读取电压。存储器子系统可为存储装置、存储器模块，或存储装置与存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。大体来说，主机系统可利用包含一或多个存储器组件，例如非易失性存储器装置的存储器子系统。主机系统可提供待存储于存储器子系统处的数据，且可请求从存储器子系统检索数据。

对于某些存储器装置类型(即，对于采用某些类型的存储器装置的存储器子系统)，位错误率(BER)可随时间发生变化。BER可为每单位时间检测到的在数据块处存储的数据经历的位错误数目。确切地说，一些非易失性存储器装置(例如，NAND、相变等)具有随时间而移动的阈值电压(Vt)分布。在给定读取电平(即，作为读取操作的部分施加到存储器单元的电压)下，如果Vt分布移动，则BER也会受影响。对于在一时间例项处的任何Vt分布，可存在最小化预期BER的最佳读取电平(或读取电平范围)。确切地说，对于一些类型的存储器装置，Vt分布和BER可随写读(W2R)延迟(即，在数据被写入到存储器装置时与在从存储器装置读取数据时之间经过的时间周期)而变。由于BER的此时变本质，以及存储器中的其它噪声机制，单个读取电平可能不足以实现满足某些系统可靠性目标的错误率。因此，某些存储器子系统可具有数个预编程读取电压电平，每一电平对应于W2R延迟时间的不同范围。例如，最低读取电压对于极小写读延迟可能是最有利的(最低BER)，第二较高读取电压对于具有略微较大W2R延迟的数据可具有最低BER，且第三读取电压对于具有极大W2R延迟的数据可具有最低BER。