[发明专利]处理配件的壳层和温度控制

权利要求书

1.一种用于在基板处理腔室中使用的处理配件，包含：

陶瓷环，所述陶瓷环具有上部表面和下部表面，其中所述陶瓷环包括布置于所述陶瓷环中的一个或多个卡紧电极以及布置于所述陶瓷环中的加热元件；以及

边缘环，所述边缘环布置于所述陶瓷环上。

2.如权利要求1所述的处理配件，其中所述一个或多个卡紧电极布置于所述上部表面与所述加热元件之间。

3.如权利要求1所述的处理配件，进一步包含气体通道，所述气体通道从所述陶瓷环的所述下部表面延伸至所述陶瓷环的所述上部表面。

4.如权利要求1所述的处理配件，其中所述陶瓷环包含氮化铝(AlN)或氧化铝(Al₂O₃)。

5.如权利要求1所述的处理配件，其中所述陶瓷环包括在上部内部边缘处的缺口。

6.如权利要求1至5中任一项所述的处理配件，进一步包含冷却板，所述冷却板耦合至所述陶瓷环。

7.如权利要求6所述的处理配件，进一步包含结合层，所述结合层布置于所述陶瓷环与所述冷却板之间。

8.一种用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件，包含：

陶瓷板，所述陶瓷板具有配置成支撑基板的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，其中所述陶瓷板包括嵌入在所述陶瓷板中的电极；

第一冷却板，所述第一冷却板耦合至所述陶瓷板的所述第二侧；

如权利要求1至5中任一项所述的陶瓷环，所述陶瓷环布置成围绕所述陶瓷板，并且其中所述陶瓷环与所述第一冷却板间隔开；以及

第二冷却板，所述第二冷却板耦合至所述陶瓷环的所述第二侧，其中所述第二冷却板与所述第一冷却板热隔绝。

9.如权利要求8所述的基板支撑件，其中所述第一冷却板和所述第二冷却板包括配置成循环冷却剂的冷却剂通道。

10.如权利要求8所述的基板支撑件，其中所述一个或多个卡紧电极耦合至负脉冲DC功率源。

11.如权利要求8所述的基板支撑件，其中所述第一冷却板布置于所述第二冷却板上，在所述第一冷却板与所述第二冷却板之间具有热隔绝层。

12.如权利要求8所述的基板支撑件，其中所述第二冷却板是布置成围绕所述第一冷却板的环，在所述第一冷却板与所述环之间具有间隙。

13.如权利要求8所述的基板支撑件，其中所述边缘环包括成角度的内部表面。

14.如权利要求8所述的基板支撑件，进一步包含气体通道，所述气体通道从所述陶瓷板的所述第一侧延伸至所述陶瓷板的所述第二侧。

15.如权利要求8所述的基板支撑件，进一步包含结合层，所述结合层布置于所述陶瓷环与所述第二冷却板之间。

16.一种处理腔室，包含：

腔室主体，所述腔室主体具有基板支撑件，所述基板支撑件布置于所述腔室主体的内部空间内，其中所述基板支撑件包括：

冷却板；

陶瓷板，所述陶瓷板布置于所述冷却板上方，以及气体通道，所述气体通道从所述陶瓷板的底部表面延伸至所述陶瓷板的顶部表面；

如权利要求1至5中任一项所述的陶瓷环，所述陶瓷环布置于所述冷却板上方并且围绕所述陶瓷板，所述陶瓷环与所述陶瓷板之间具有间隙；以及

功率源，所述功率源耦合至所述加热元件，以独立于所述陶瓷板的温度控制所述陶瓷环的温度。

17.如权利要求16所述的处理腔室，其中所述一个或多个卡紧电极耦合至负脉冲DC功率源。