[发明专利]用于确定关于目标结构的信息的方法和系统在审
申请号: | 202080053489.2 | 申请日: | 2020-07-17 |
公开(公告)号: | CN114144732A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | A·J·登博夫;K·布哈塔查里亚;张耕辅;S·G·J·马斯杰森 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 赵林琳 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 确定 关于 目标 结构 信息 方法 系统 | ||
1.一种确定关于衬底上的目标结构的信息的方法,包括:
获得针对所述目标结构的不对称指示符的值,所述不对称指示符的值表示所述目标结构中的套刻无关不对称的量,所述套刻无关不对称是不由套刻引起的不对称;
估计在先前时间对所述目标结构执行的初始套刻测量中的误差,所述估计使用所获得的不对称指示符的值和以下项之间的关系来执行:所述不对称指示符的值与至少部分地由套刻无关不对称引起的套刻测量误差;以及
使用所述初始套刻测量和所估计的误差,来确定所述目标结构中的套刻。
2.根据权利要求1所述的方法,其中使用关于在波长集中的每个波长处从所述目标结构散射的辐射中的不对称的信息,来获得针对所述目标结构的所述不对称指示符的值。
3.根据权利要求2所述的方法,其中通过以下方式来预先选择所述波长集:获得针对多个候选波长集的所述不对称指示符的值与套刻测量误差之间的关系;并基于针对所述候选波长集的所述不对称指示符的值与所述套刻测量误差之间的相关性品质,来选择所述候选波长集中的一个候选波长集。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中:
通过组合第一不对称值和第二不对称值,获得所述不对称指示符的值;
使用关于在所述辐射的多个不同波长中的每个波长处、来自所述目标结构的第一散射辐射中的不对称的信息,来获得所述第一不对称值;
使用关于在所述辐射的多个不同波长中的每个波长处、来自所述目标结构的第二散射辐射中的不对称的信息,来获得所述第二不对称值;
所述第一散射辐射源自具有第一偏振的入射辐射;以及
所述第二散射辐射源自具有第二偏振的入射辐射,所述第二偏振与所述第一偏振不同。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述第一偏振与所述第二偏振正交。
6.根据权利要求4或5所述的方法,其中所述第一不对称值和所述第二不对称值的组合包括加权和。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述加权和中的所述第一不对称值的加权、与所述加权和中的所述第二不对称值的加权,在符号上相反。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,还包括导出所述不对称指示符的值与套刻测量误差之间的关系。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述关系的所述导出包括:测量多个校准结构中的每个校准结构中的所述不对称指示符的值和套刻测量误差,所述多个校准结构具有不同的套刻无关不对称。
10.根据权利要求8或9所述的方法,其中所述关系的所述导出包括:针对校准结构中的多个模拟的套刻无关不对称,模拟来自所述校准结构的辐射的散射。
11.根据权利要求10所述的方法,还包括:使用由所述模拟导出的所述关系,来估计所述目标结构中的所述套刻无关不对称。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所估计的套刻无关不对称被用于执行对所述初始套刻测量中的所述误差的所述估计。
13.根据权利要求10至12中的任一项所述的方法,其中所述模拟的套刻无关不对称包括多个不对称模式中的每个不对称模式中的多个不对称幅度。
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