[发明专利]多晶硅析出用硅芯线及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202080054422.0 申请日: 2020-07-29
公开(公告)号: CN114206776A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 阪井纯也;贺藤诚司;镰田诚;惠本美树 申请(专利权)人: 株式会社德山
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03;C30B28/14;C30B29/06
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 吕琳;朴秀玉
地址: 日本山口*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 多晶 析出 用硅芯线 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种多晶硅析出用硅芯线,其特征在于,

所述多晶硅析出用硅芯线为由一对垂直棒部与连接这一对垂直棒部的各上端的横架部构成的呈门型形状的、用于使多晶硅析出的硅芯线,

所述垂直棒部与横架部的端部彼此通过焊接而接合,其接合角部的表面金属浓度为1ppbw以下。

2.根据权利要求1所述的多晶硅析出用硅芯线,其中,

所述接合角部的表面金属浓度为铁、铬、镍、钠、镁、铝、钾、钙、钴、铜、锌、钨、钛、钼、钒、锰、锶、钡的合计浓度。

3.根据权利要求1或2所述的多晶硅析出用硅芯线,其中,

在所述接合角部的表面金属浓度中,铁的浓度为0.2ppbw以下,铬的浓度为0.1ppbw以下,镍的浓度为0.05ppbw以下,以及钛的浓度为0.2ppbw以下。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的多晶硅析出用硅芯线,其中,

所述横架部由至少两根横架部用硅棒分材以上方向弯曲形状接合而成,

存在于所述横架部中途的至少一个部位的各所述横架部用硅棒分材的端部彼此的接合通过焊接进行,所述横架部中途的各接合角部的表面金属浓度也为1ppbw以下。

5.根据权利要求4所述的多晶硅析出用硅芯线,其中,

所述横架部中途的各接合角部的表面金属浓度为铁、铬、镍、钠、镁、铝、钾、钙、钴、铜、锌、钨、钛、钼、钒、锰、锶、钡的合计浓度。

6.根据权利要求4所述的多晶硅析出用硅芯线,其中,

垂直棒部与横架部的端部彼此的各接合角部的角度均形成为比直角大,存在于横架部中途的至少一个部位的接合角部的角度均为90度以上且170度以下。

7.根据权利要求6所述的多晶硅析出用硅芯线,其中,

所述横架部由3~6根横架部用硅棒分材以上方向弯曲形状接合而成,垂直棒部与横架部的端部彼此的各接合角部、以及横架部中途的各接合角部各自的角度均为130度以上且170度以下。

8.一种权利要求1所述的多晶硅析出用硅芯线的制造方法,其特征在于,

在将一对垂直棒部用硅棒与横架部用硅棒以门型形状接合而制造多晶硅析出用硅芯线时,

通过以下方式进行所述垂直棒部用硅棒与横架部用硅棒的各端部彼此的接合:

在惰性气体气氛中,

1)利用由金属浓度为1ppmw以下的碳构件构成的预热加热器进行预加热后,

2)进行高频感应加热而焊接。

9.根据权利要求8所述的多晶硅析出用硅芯线的制造方法,其中,

由垂直棒部用硅棒与横架部用硅棒的端部彼此构成的被接合部始终不与预热加热器和高频感应加热的工作线圈接触地得以焊接。

10.根据权利要求8所述的多晶硅析出用硅芯线的制造方法,其中,

横架部用硅棒由至少两根横架部用硅棒分材以上方向弯曲形状接合而成,

也通过以下方式进行各横架部用硅棒分材的端部彼此的接合:

在惰性气体气氛中,

1)利用由金属浓度为1ppmw以下的碳构件构成的预热加热器进行预加热后,

2)进行高频感应加热而焊接。

11.根据权利要求10所述的多晶硅析出用硅芯线的制造方法,其中,

由横架部用硅棒分材的端部彼此构成的被接合部也始终不与预热加热器和高频感应加热的工作线圈接触地得以焊接。

12.根据权利要求8~11中任一项所述的制造方法,其中,

所述预热加热器的金属浓度为铁、铬、镍、钠、镁、铝、钾、钙、钴、铜、锌、钨、钛、钼、钒、锰、锶、钡的合计浓度。

13.根据权利要求8~12中任一项所述的制造方法,其中,

构成预热加热器的碳构件的铁浓度为50ppbw以下,铬的浓度为5ppbw以下,镍的浓度为50ppbw以下,以及钛的浓度为30ppbw以下。

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