[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括半导体层、所述半导体层上的第一绝缘层以及所述第一绝缘层上的导电层，

其中，所述半导体层具有第一区域、一对的第二区域、一对的第三区域以及一对的第四区域，

所述第二区域夹着所述第一区域设置，

所述第三区域夹着所述第一区域及所述第二区域设置，

所述第四区域夹着所述第一区域、所述第二区域及所述第三区域设置，

所述第一区域具有与所述第一绝缘层及所述导电层重叠的区域，

所述第二区域及所述第三区域分别具有与所述第一绝缘层重叠的区域且不与所述导电层重叠，

所述第四区域不与所述第一绝缘层和所述导电层重叠，

与所述第二区域重叠的区域的所述第一绝缘层的厚度大致相等于与所述第一区域重叠的区域的所述第一绝缘层的厚度，

并且，与所述第三区域重叠的区域的所述第一绝缘层的厚度比与所述第二区域重叠的区域的所述第一绝缘层的厚度薄。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括第二绝缘层，

其中所述第二绝缘层与所述第一绝缘层的顶面及侧面以及所述第四区域的顶面接触。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述第一绝缘层包含氧化物或氧氮化物，

并且所述第二绝缘层包含氧化物或氧氮化物。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述第一绝缘层包含氧化物或氧氮化物，

并且所述第二绝缘层包含氮化物或氮氧化物。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，

其中所述第三区域及所述第四区域都包含第一元素，

所述第三区域中的所述第一元素的浓度高于所述第二区域中的所述第一元素的浓度，

所述第四区域中的所述第一元素的浓度高于所述第三区域中的所述第一元素的浓度，

并且所述第一元素为氢、硼、氮和磷中的任一个以上。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，

其中所述第二区域的电阻低于所述第一区域的电阻，

所述第三区域的电阻低于所述第二区域的电阻，

并且所述第四区域的电阻低于所述第三区域的电阻。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，

其中所述第三区域的电阻为所述第二区域的电阻的2倍以上且1×10³倍以下。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，

其中与所述第三区域重叠的部分的所述第一绝缘层的厚度为与所述第二区域重叠的部分的所述第一绝缘层的厚度的0.2倍以上且0.9倍以下。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，

其中所述第二区域的宽度及所述第三区域的宽度都为50nm以上且1μm以下。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，

其中所述半导体层包含铟、元素M及锌，

并且所述元素M为铝、镓、钇和锡中的一个以上。