[发明专利]多晶硅棒及其制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅棒，其特征在于，

所述多晶硅棒具有由硅的棒状体构成的芯线，距所述芯线与在所述芯线的表面析出的多晶硅的界面2mm的区域中的、铁和镍的总金属浓度以元素换算计为40pptw以下。

2.根据权利要求1所述的多晶硅棒，其中，

所述区域中的铁的浓度以元素换算计为20pptw以下，镍的浓度以元素换算计为5pptw以下。

3.根据权利要求1或2所述的多晶硅棒，其中，

所述区域中的铬的浓度以元素换算计为10pptw以下。

4.一种多晶硅棒的制造方法，其特征在于，

在所述多晶硅棒的制造方法中，使用具有底板和覆盖所述底板的圆顶型的罩的反应器，所述底板设有用于对由硅的棒状体构成的芯线通电的电极，在将所述芯线与所述电极连接而进行通电的同时，向所述反应器内供给多晶硅析出用原料气体，使多晶硅在所述芯线的表面气相沉积，

在所述多晶硅棒的制造方法中，在从将所述芯线的表面洁净化后到将所述芯线与电极连接并由所述芯线的上部利用所述罩覆盖底板的期间，将所述硅芯线置于洁净度被调整为通过ISO14644－1定义的等级4～6的气氛下。