[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202080056742.X | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN114258595A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 花田明纮;海东拓生;津吹将志 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.半导体器件，其具有由氧化物半导体形成的TFT，其特征在于，
所述氧化物半导体具有沟道区域、源极区域、漏极区域，和处于所述沟道区域与所述源极区域之间的过渡区域、以及处于所述沟道区域与所述漏极区域之间的过渡区域，
所述过渡区域的电阻率比所述沟道区域的电阻率小、比所述源极区域或所述漏极区域的电阻率大，
源电极与所述源极区域重叠地形成，漏电极与所述漏极区域重叠地形成，
所述氧化物半导体的所述过渡区域的厚度大于所述沟道区域的厚度。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物半导体的所述源极区域的厚度或所述漏极区域的厚度大于所述过渡区域的厚度。
3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，在所述氧化物半导体中，于所述沟道区域的中央进行测定时，所述沟道区域的厚度为60nm以下，于所述过渡区域的中央进行测定时的所述过渡区域的厚度为85nm以上。
4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物半导体的所述源极区域的厚度或所述漏极区域的厚度与所述过渡区域的厚度之差为10nm以上。
5.如权利要求1至4所述的半导体器件，其特征在于，所述过渡区域在所述沟道区域的沟道长方向上的长度为2μm以上。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述TFT为底栅型。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述TFT为具有底栅和顶栅的双栅型。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
覆盖所述氧化物半导体而形成有第1栅极绝缘膜，覆盖所述第1栅极绝缘膜而形成有第2栅极绝缘膜，
在所述第2栅极绝缘膜中，在与所述过渡区域对应的部分形成有通孔，
覆盖所述第2栅极绝缘膜和所述通孔而形成有栅极电极。
9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述过渡区域中，掺杂有提高导电率的离子。
10.半导体器件，其具有由氧化物半导体形成的TFT，其特征在于，
所述氧化物半导体具有沟道区域、源极区域、漏极区域，和处于所述沟道区域与所述源极区域之间的过渡区域、以及处于所述沟道区域与所述漏极区域之间的过渡区域，
所述过渡区域的电阻率比所述沟道区域的电阻率小、比所述源极区域或所述漏极区域的电阻率大，
源电极与所述源极区域重叠地形成，漏电极与所述漏极区域重叠地形成，
覆盖所述氧化物半导体而形成有第1栅极绝缘膜，覆盖所述第1栅极绝缘膜而形成有第2栅极绝缘膜，
在所述第2栅极绝缘膜中，在与所述过渡区域对应的部分形成有通孔，
覆盖所述第2栅极绝缘膜和所述通孔而形成有第1栅极电极。
11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述沟道区域的厚度为60nm以下。
12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述过渡区域在沟道长方向上的长度为2μm以上。
13.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，在所述氧化物半导体之下，存在有第3栅极绝缘膜，在所述第3栅极绝缘膜之下，存在有第2栅极电极。
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