[发明专利]固态成像装置及其制造方法和电子设备

权利要求书

1.一种固态成像装置，其包括：

半导体基板；和

栅电极，其中，所述栅电极包括第一垂直栅电极部和第二垂直栅电极部，所述第一垂直栅电极部和所述第二垂直栅电极部从所述半导体基板的第一表面沿深度方向嵌入，并且其中，所述第一垂直栅电极部的宽度和所述第二垂直栅电极部的宽度随着距所述第一表面的距离而变化。

2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，所述第一垂直栅电极部和所述第二垂直栅电极部从平坦电极部延伸。

3.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，形成晶体管的沟道区域的鳍形部位于所述第一垂直栅电极部和所述第二垂直栅电极部之间，并且其中，所述第一垂直栅电极部的宽度的方向和所述第二垂直栅电极部的宽度的方向与所述沟道区域的沟道宽度的方向相同。

4.根据权利要求3所述的固态成像装置，其中，所述平坦电极部位于所述半导体基板的所述第一表面这一侧上。

5.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，所述第一垂直栅电极部的宽度和所述第二垂直栅电极部的宽度随着距所述平坦电极部的距离而减小。

6.根据权利要求5所述的固态成像装置，其中，所述第一垂直栅电极部的宽度和所述第二垂直栅电极部的宽度随着距所述平坦电极部的距离而线性地减小。

7.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，所述第一垂直栅电极部的宽度和所述第二垂直栅电极部的宽度随着距所述平坦电极部的距离而增大。

8.根据权利要求7所述的固态成像装置，其中，所述第一垂直栅电极部的宽度和所述第二垂直栅电极部的宽度随着距所述平坦电极部的距离而线性地增大。

9.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，在所述垂直栅电极部的相邻于所述平坦电极部的端部与所述垂直栅电极部的最远离所述平坦电极部的端部之间的位置处，所述第一垂直栅电极部的宽度和所述第二垂直栅电极部的宽度变宽。

10.根据权利要求9所述的固态成像装置，其中，形成晶体管的沟道区域的鳍形部位于所述第一垂直栅电极部和所述第二垂直栅电极部之间，并且其中，所述鳍形部的在深度方向上的中间部窄于所述鳍形部的上部。

11.根据权利要求3所述的固态成像装置，其中，所述鳍形部的基部是圆形的。

12.根据权利要求11所述的固态成像装置，其中，所述第一垂直栅电极部的宽度和所述第二垂直栅电极部的宽度随着距所述平坦电极部的距离而减小。

13.根据权利要求11所述的固态成像装置，其中，所述鳍形部的顶部是圆形的。

14.根据权利要求3所述的固态成像装置，其中，沿所述鳍形部的基部的各侧形成有子沟槽。

15.根据权利要求14所述的固态成像装置，其中，所述第一垂直栅电极部的宽度和所述第二垂直栅电极部的宽度随着距所述平坦电极部的距离而减小。

16.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，所述平坦电极部在平面图中是矩形的。

17.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，所述平坦电极部在平面图中是椭圆形的。

18.根据权利要求3所述的固态成像装置，还包括：

绝缘膜，所述绝缘膜被布置在所述鳍形部的顶部上。