[发明专利]用于集成装置的光学奈米结构抑制器及其方法

权利要求书

1.一种集成装置，其包含：

基板，其具有第一表面；以及

形成于所述基板上的多个像素，所述多个像素中的至少一些包含：

反应室，其被配置为接收样本；

传感器，其被配置为检测从反应室发射的发射辐射；

波导，其被配置为将激发辐射耦合至反应室；以及

光学奈米结构，其设置于所述波导与所述传感器之间，其中所述光学奈米结构被图案化为包括实质上平行于所述基板的第一表面的平面中的结构变化并且抑制在实质上垂直于所述第一表面的方向上入射于光学奈米结构上的所述激发辐射的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的集成装置，其中所述结构变化至少在所述平面的一个维度中为周期性或准周期性的。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的集成装置，其中所述光学奈米结构展现光子带隙。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的集成装置，其中所述结构变化在所述平面的两个维度中为周期性或准周期性的。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的集成装置，其中所述结构变化展现150nm与500nm之间的周期性。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的集成装置，其中所述光学奈米结构在所述结构变化内不具有缺失或显著不同的周期性组件。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的集成装置，其中所述光学奈米结构包含具有第一折射率的介电材料的第一多个离散区。

8.根据权利要求7所述的集成装置，其中所述介电材料的第一多个离散区在所述平面中展现100nm与300nm之间的宽度。

9.根据权利要求7或权利要求8所述的集成装置，其中所述光学奈米结构包含所述介电材料的第二多个离散区，所述介电材料的第一离散区和第二离散区沿垂直于所述基板的第一表面的方向彼此隔开。

10.根据权利要求9所述的集成装置，其中介电材料的第一离散区和第二离散区沿平行于所述平面的方向彼此交错。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的集成装置，其中所述介电材料的第一多个离散区由具有不同于第一折射率的第二折射率的材料的区域分离。

12.根据权利要求7至11中任一项所述的集成装置，其中所述介电材料的第一多个离散区在垂直于所述平面的方向上延伸。

13.根据权利要求12所述的集成装置，其中所述介电材料的第一多个离散区沿垂直于所述基板的第一表面的方向展现100nm与300nm之间的高度。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的集成装置，还包含设置于所述反应室与所述传感器之间的膜片。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的集成装置，还包含设置于所述反应室与所述传感器之间的光学组件，所述光学组件增大了所述发射辐射到所述传感器上的聚集。

16.根据权利要求15所述的集成装置，其中所述光学组件包含介电材料的圆盘，该介电材料对于相同波长的发射辐射具有第一折射率，其与围绕所述圆盘的材料的第二折射率不同。