[发明专利]用于生产各自用于形成电子或光电器件的氮化物台面的方法

权利要求书

1.一种用于获得多个台面(550A、550B)的方法，每个台面(550A、550B)至少部分地由氮化物(N)制成，所述氮化物优选地从选自镓(Ga)、铟(In)和铝(Al)中的至少一种材料获得，其特征在于，所述方法包括以下连续的步骤：

-提供叠置件，所述叠置件包括基板(100)和从所述基板(100)起连续地布置的至少下述层：

○第一层，所述第一层被称为流变层(200)，所述第一层由具有玻璃化转变温度的材料制成，所述流变层(200)具有玻璃化转变温度T_{玻璃化转变}，

○第二结晶层，所述第二结晶层被称为结晶层(300)，所述结晶层与所述流变层(200)不同，

-通过对至少所述结晶层(300)和所述流变层(200)的至少一部分进行蚀刻来形成垫(1000A1-1000B4)，使得：

○每个垫(1000A1-1000B4)包括至少：

■第一部分，所述第一部分被称为流变部分(220A1-220B4)，所述第一部分由所述流变层(200)的至少一部分形成，

■第二结晶部分，所述第二结晶部分被称为结晶部分(300A1、300B4)，所述第二结晶部分由所述结晶层(300)形成并叠覆在所述流变部分(220A1-220B4)之上，

○所述垫(1000A1-1000B4)分布在所述基板(100)上，以便形成多个组(1000A、1000B)的垫(1000A1-1000B4)，

-使位于所述垫(1000A1-1000B4)中的至少一些垫上的微晶(510A1-510B4)进行外延生长，并且使所述微晶(510A1-510B4)的外延生长继续，直到由同一组(1000A、1000B)的相邻垫(1000A1-1000B4)承载的所述微晶(510A1-510B4)聚结，从而在每组(1000A、1000B)上形成氮化物台面(550A、550B)，外延生长是在温度T_外延下进行的，使得：

T_外延≥k1×T_{玻璃化转变温度}，其中，k1≥0.8

-在属于两个单独的组(1000A、1000B)的微晶(510A1-510B4)开始聚结之前，中断所述微晶(510A1-510B4)的外延生长，使得每个组(1000A、1000B)的所述台面(550A、550B)彼此分离。

2.根据前一权利要求所述的方法，其中，同一组(1000A)的两个相邻垫(1000A1、1000A2)之间的距离D比两个不同组(1000A、1000B)的两个相邻垫(1000A4、1000B1)之间的距离W1小，其中W1D，并且优选地W1≥k4×D，其中k4＝1.5，并且优选地k4＝2。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中：

-W1是属于两个单独组(1000A、1000B)的两个相邻垫(1000A4-1000B1)之间的距离，

-W2是两个相邻的台面(550A、550B)之间的距离，

并且其中：

W1≥k5×W2

其中k5＝1.5，优选地k5＝2。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，每个垫(1000A1-1000B4)的截面具有被包括在10nm至500nm(10^-9米)之间的最大尺寸d_垫，所述最大尺寸d_垫是在与所述基板(100)的顶面(110)主要延伸所沿的平面(xy)平行的平面中测量的，优选地20nm≤d_垫≤200nm，并且优选地50nm≤d_垫≤100nm。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，每个台面(550A、550B)的截面具有被包括在0.5μm至10μm(10^-6米)之间的最大尺寸d_台面，所述最大尺寸d_台面是在与所述基板(100)的顶面(110)主要延伸所沿的平面(xy)平行的平面中测量的，优选地0.8μm≤d_台面≤3μm，并且优选地1μm≤d_台面≤2μm。