[发明专利]具有电弧室材料混合的离子植入系统

权利要求书

1.一种用于将一或多个离子物种植入到衬底中的离子植入系统，所述系统包括：

气体源，其包括可离子化气体或含有至少一种可离子化气体的气体混合物；及

电弧室，其包括至少第一电弧室材料及第二电弧室材料，其中所述第一电弧室材料与所述第二电弧室材料是不同的，

其中所述电弧室包括具有内部面向等离子体的表面的电弧室壁及一或多个电弧室衬垫中的至少一者、安置在所述电弧室中的溅射靶或其组合，其中所述第一电弧室材料及所述第二电弧室材料存在于所述电弧室壁中，存在于安置在所述电弧室中的一或多个电弧室衬垫中，存在于安置在所述电弧室中的靶中或其组合。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述电弧室壁包括所述第一电弧室材料，所述第一电弧室材料包括钨，且其中所述第二电弧室材料包含硼、氮化硼、氧化硼、硼化钨或碳化硼中的任一者。

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述第二电弧室材料经涂布到所述电弧室壁的部分或全部上或经表面分层到所述电弧室壁的部分或全部上。

4.根据权利要求1所述的系统，其包含内含所述第一电弧室材料的第一衬垫及内含第二电弧室材料的第二衬垫，其中所述第一电弧室材料是钨且所述第二电弧室材料是硼、氮化硼、氧化硼、硼化钨或碳化硼中的任一者。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的系统，其中所述气体源包含BF₃气体及氢气。

6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的系统，其中所述气体源包含内含BF₃的第一含硼气体及内含B₂F₄气体或B₂H₆气体的第二含硼气体。

7.根据权利要求6所述的系统，其中所述气体源进一步包括稀释气体，其中所述稀释气体可为氢、氪、氖、氦、氩、氙或氙/氢气混合物中的任一者。

8.根据权利要求6所述的系统，其中所述气体源进一步包括氢气或氙气/氢气混合物中的一者。

9.根据权利要求1所述的系统，其中所述气体源包含一或多种可离子化含氟气体。

10.根据权利要求9所述的系统，所述电弧室壁包括钨，且所述第二电弧室材料形成电弧室衬垫的至少一部分，并包含石墨或含碳化物的化合物。

11.根据权利要求1所述的系统，其包括安置在所述电弧室中的靶，所述电弧室包括第一电弧室材料且所述靶包括所述第二电弧室材料。

12.根据权利要求11所述的系统，其中所述靶与所述可离子化气体或其离子或中性碎片中的至少一者反应或被其溅射。

13.根据权利要求1所述的系统，其中所述气体源及/或至少所述第一电弧室材料或所述第二电弧室材料包括同位素浓化材料。

14.根据权利要求13所述的系统，其中所述气体源包含可离子化气体，所述可离子化气体包含同位素浓化的硼或同位素浓化的锗。

15.根据权利要求13或14所述的系统，其中所述第一电弧室材料或所述第二电弧室材料中的至少一者为同位素浓化材料。