[发明专利]波长选择模块、照射系统和量测系统

说明书

描述了一种用于量测设备的波长选择模块。该波长选择模块包括：一个或多个滤波器元件，可操作为接收包括多个波长的输入辐射束，以提供对相应输出辐射束的波长特性的选择控制。所述一个或多个滤波器元件中的至少一个包括至少两个线性可变滤波器。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年8月21日提交的EP申请19192883.7的优先权，该申请通过引用整体并且入本文。

技术领域

本发明涉及可用于例如通过光刻技术制造器件的光刻方法和设备以及使用光刻技术制造器件的方法。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地称为掩模或掩模版)可以用于产生待形成在IC的单层上的电路图案。这种图案可以被转印至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。图案的转印通常经由成像至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。在光刻过程中，期望频繁地对所产生的结构进行测量，以例如用于过程控制和验证。用于进行这种测量的各种工具是已知的，包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜、以及用于测量重叠(测量器件中的两个层的对准准确度)的专用工具。重叠可以根据两层之间的未对准程度来描述，例如参考所测量的1nm重叠可描述两个层未对准1nm的情况。

最近，已经开发了各种形式的散射仪以用于光刻领域。这些装置将辐射束引导到目标上并测量散射辐射的一个或多个特性(例如，作为波长函数的单个反射角的强度；作为反射角的函数的一个或多个波长的强度；或者作为反射角的函数的偏振)，以获得从其可确定目标的感兴趣特性的“光谱”。可以通过各种技术执行感兴趣特性的确定：例如通过迭代方法(诸如严格耦合波分析或有限元方法)重构目标；图书馆搜索；以及主要成分分析。

当执行这种暗场散射测量时，不同层中的不同目标可对不同的波长测量辐射示出不同的表现。因此，应当针对目标和/或层单独地调谐测量辐射。量测设备可被配置为允许从几个(通常大约7至10个)离散波长进行波长选择，该离散波长均匀地分布在整个光谱上(其范围可为从400nm至900nm)。

期望改善波长之间的转换速度来增加测量吞吐量。

发明内容

本发明的第一方面提供了一种用于量测设备的波长选择模块，包括：一个或多个滤波器元件，可操作为接收包括多个波长的输入辐射束，以提供对相应输出辐射束的波长特性的选择控制；其中，所述一个或多个滤波器元件中的至少一个包括至少两个线性可变滤波器。

本发明进一步提供一种照射系统，包括用于产生所述输入辐射束的照射源以及根据第一方面的波长选择模块。

本发明进一步提供一种用于测量光刻过程的参数的量测设备，该量测设备包括根据第二方面的照射系统。

下面参照附图详细描述本发明的其他方面、特征和优点，以及本发明的各个实施例的结构和操作。注意的是，本发明不限于本文中描述的特定实施例。呈现在本文中的这些实施例仅用于说明性目的。基于本文中包含的教导，其他实施例对于相关领域的技术人员将是显而易见的。

附图说明

现在将仅通过示例的方式，参考附图来描述本发明的实施例，在附图中：

图1描绘了与其他设备一起形成半导体器件的生产设施的光刻设备；

图2包括(a)在通过使用第一对照射孔测量目标中使用的暗场散射仪的示意图，(b)在给定照射方向下的目标光栅的衍射光谱的细节；