[发明专利]结晶膜、包含结晶膜的半导体装置以及结晶膜的制造方法在审
| 申请号： | 202080059351.3 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN114270531A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 河原克明;大岛祐一;冲川满 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA;国立研究开发法人物质·材料研究机构 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;C30B23/04;C30B25/04 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结晶 包含 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种结晶膜，包含结晶性金属氧化物为主成分，且具有刚玉结构，其特征在于，所述结晶膜的位错密度为1×107cm-2以下，且表面积为10mm2以上。
2.根据权利要求1所述的结晶膜，其中，结晶性金属氧化物至少包含镓。
3.根据权利要求1或2所述的结晶膜，其中，进一步包含两层以上的横向晶体生长层。
4.一种结晶膜，包含结晶性金属氧化物为主成分，且具有刚玉结构，其特征在于，所述结晶膜至少包含一层以上的横向晶体生长层，所述结晶膜的表面积为10mm2以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的结晶膜，其中，进一步包含掺杂剂。
6.一种半导体装置，包含结晶膜，其特征在于，所述结晶膜为权利要求1～5中任一项所述的结晶膜。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，其为功率器件。
8.一种结晶膜的制造方法，其特征在于，通过第一横向晶体生长在基板上形成第一横向晶体生长层，并在所述第一横向晶体生长层上配置掩模，进而通过第二横向晶体生长形成第二横向晶体生长层。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，通过HVPE法或雾化CVD法进行所述第一横向晶体生长。
10.根据权利要求8或9所述的制造方法，其中，通过HVPE法或雾化CVD法进行所述第二横向晶体生长。
11.根据权利要求8～10中任一项所述的制造方法，其中，所述掩模在所述第一横向生长层上被配置为点状。
12.根据权利要求8～10中任一项所述的制造方法，其中，所述掩模具有点状的开口部，且被配置在所述第一横向生长层上。
13.根据权利要求8～10中任一项所述的制造方法，其中，所述掩模具有线状。
14.根据权利要求8～13中任一项所述的制造方法，其中，第一横向晶体生长层具有刚玉结构。
15.根据权利要求8～14中任一项所述的制造方法，其中，第一横向晶体生长层包含镓。
16.根据权利要求8～15中任一项所述的制造方法，其中，第二横向晶体生长层具有刚玉结构。
17.根据权利要求8～16中任一项所述的制造方法，其中，第二横向晶体生长层包含镓。
18.根据权利要求8～17中任一项所述的制造方法，其中，第一横向晶体生长层包含两个以上的横向晶体部，在两个以上的所述横向晶体部上分别配置有所述掩模。
19.根据权利要求8～18中任一项所述的制造方法，其中，所述掩模和/或开口部被周期性且规则性地图案化。
20.根据权利要求8～19中任一项所述的制造方法，其中，在基板上配置掩模，接着，通过第一横向晶体生长形成第一横向晶体生长层。
21.根据权利要求20所述的制造方法，其中，所述基板上的掩模和/或开口部被周期性且规则性地图案化，且所述基板上的掩模和/或开口部的间隔大于所述第一横向生长层上的掩模和/或开口部的间隔。
22.根据权利要求21所述的制造方法，其中，所述基板上的掩模和/或开口部的间隔为10μm～100μm，且所述第一横向生长层上的掩模和/或开口部的间隔为1μm～50μm。
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