[发明专利]用于处理腔室的高传导性下部屏蔽件

权利要求书

1.一种在处理腔室中使用的处理套件，包含：

环状环，配置成围绕基板支撑件；以及

环状唇部，从所述环状环的上部表面延伸，其中所述环状环包括多个环狭槽，所述多个环狭槽延伸通过所述环状环且以规则间隔沿着所述环状环布置，且其中所述环状唇部包括多个唇部狭槽，所述多个唇部狭槽延伸通过所述环状唇部、以规则间隔沿着所述环状唇部布置。

2.如权利要求1所述的处理套件，其中所述多个环狭槽包括多个第一环狭槽以及从所述多个第一环狭槽径向向外布置的多个第二环狭槽。

3.如权利要求2所述的处理套件，其中所述多个唇部狭槽的各个狭槽比所述多个第一环狭槽的各个狭槽和所述多个第二环狭槽的各个狭槽界定更大的总开口面积。

4.如权利要求2所述的处理套件，其中所述多个第二环狭槽的各个狭槽比所述多个第一环狭槽的各个狭槽界定更大的总开口面积。

5.如权利要求2所述的处理套件，其中所述多个第二环狭槽包含与所述多个第一环狭槽相同数量的狭槽。

6.如权利要求1所述的处理套件，其中所述环状唇部从所述环状环的外部侧壁径向向内布置。

7.如权利要求1所述的处理套件，其中所述环状唇部包括多个第一开口，配置成将所述环状唇部耦合至另一处理套件部件。

8.如权利要求7所述的处理套件，其中所述多个唇部狭槽布置在所述环状环与所述多个第一开口之间。

9.如权利要求1至8中任一项所述的处理套件，其中所述多个环狭槽的各个狭槽具有小于长度的宽度。

10.如权利要求1至8中任一项所述的处理套件，其中所述多个环狭槽的各个狭槽及所述多个唇部狭槽的各个狭槽具有基本上矩形的形状。

11.如权利要求1至8中任一项所述的处理套件，其中所述多个环狭槽的各个狭槽为约0.08英寸至约0.19英寸宽乘以约0.60英寸至约0.76英寸长。

12.如权利要求1至8中任一项所述的处理套件，其中所述环状环包括多个开口，所述多个开口从所述多个环狭槽径向向内布置且配置成促进将所述环状环耦合至所述基板支撑件。

13.如权利要求1至8中任一项所述的处理套件，其中所述环状唇部从所述环状环基本上垂直地延伸。

14.如权利要求1至8中任一项所述的处理套件，其中所述环状唇部布置成靠近所述环状环的外部侧壁且从所述外部侧壁径向向内。

15.如权利要求1至8中任一项所述的处理套件，其中所述环状唇部具有由所述多个唇部狭槽界定的总开口面积，所述多个唇部狭槽为所述环状唇部的总面积的约百分之30至约百分之50。

16.一种处理腔室，包含：

腔室主体，界定内部容积且具有泵端口；

基板支撑件，布置于所述内部容积中；

下部屏蔽件，布置成围绕所述基板支撑件，其中所述下部屏蔽件包括如权利要求1至8中任一项所述的处理套件；以及

泵，耦合至所述泵端口且配置成通过所述多个环狭槽从所述内部容积移除颗粒。

17.如权利要求16所述的处理腔室，其中所述多个环狭槽的各个狭槽具有小于长度的宽度。

18.如权利要求16所述的处理腔室，其中所述基板支撑件包含布置于底部外壳上的静电夹盘，其中绝缘体布置于其之间。