[发明专利]钼沉积

权利要求书

1.一种方法，其包含：

提供包含特征的衬底，所述特征具有特征底部和特征侧壁，其中所述特征底部包含含金属表面，且所述特征侧壁包含氧化物或氮化物表面；以及

执行多个循环的原子层沉积(ALD)处理，以相对于所述氧化物或氮化物表面而选择性地在所述含金属表面上沉积钼(Mo)膜，其中所述ALD处理包含在第一衬底温度下将所述特征暴露于含钼氧卤化物前体和还原剂的交替脉冲。

2.根据权利要求1所述的方法，其还包含在执行所述多个循环的ALD沉积处理前，将所述含金属表面暴露于含氢等离子体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述还原剂为热氢(H₂)。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述还原剂是在由氢(H₂)产生的等离子体中提供。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述还原剂的分压为至少10托。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述含钼前体为钼氧氯化物。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一温度不超过600℃。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一温度不超过450℃。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一温度不超过400℃。

10.根据权利要求7-9中任一项所述的方法，其中所述第一温度至少为350℃。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述含钼前体为钼氧氟化物。

12.根据权利要求1所述的方法，其还包含当所述衬底处于所述第一温度期间，将所述特征部分填充，且当所述衬底处于第二温度期间，将所述特征完全填充，所述第二温度大于所述第一温度。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述部分填充在处理室的第一站中进行，而所述完全填充则在所述处理室的第二站中进行。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述含金属表面是由下列材料组成的群组中的一者：

钴、钌、铜、钨、钼、钛、锡、钽、镍、铱和铑。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述含金属表面是由下列材料组成的群组中的一者：

钛氮化物、钼氮化物、钨氮化物、钨碳氮化物、钛铝碳化物、钛硅化物和钽氮化物。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述含金属表面是元素金属表面。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述侧壁包含氧化物，所述氧化物选自：

聚环氧乙烷、原硅酸四乙酯、可流动氧化物和碳掺杂氧化物。

18.根据权利要求1所述的方法，其中在所述含金属膜上的所述Mo膜比位于所述侧壁的所述氧化物或氮化物表面上的所述Mo膜厚至少约20埃。

19.一种方法，其包含：

提供包含特征的衬底，所述特征具有特征底部和特征侧壁，其中所述特征底部包含含金属表面，且所述特征侧壁包含氧化物或氮化物表面；以及

执行沉积处理，以相对于所述氧化物或氮化物表面而选择性地在所述含金属表面上沉积钼(Mo)膜，其中所述沉积处理包含在第一衬底温度下将所述特征暴露于含钼氧卤化物前体和还原剂。