[发明专利]电化学FET传感器

权利要求书

1.一种传感器，包括：

工作电极，所述工作电极配置为被定位成与分析物溶液接触；

放大器，所述放大器包括：

源极端子；

漏极端子；和

多个纳米线，

其中所述多个纳米线中的每个将所述源极端子电连接至所述漏极端子；和

绝缘体，所述绝缘体具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，其中所述工作电极位于所述绝缘体的第一侧，

其中(a)所述源极端子、(b)所述漏极端子和(c)所述多个纳米线位于所述绝缘体的第二侧，

由此所述绝缘体被配置为防止所述工作电极与(a)所述源极端子、(b)所述漏极端子或(c)所述多个纳米线之间的直接电接触，并且

由此所述绝缘体被配置为防止所述分析物溶液与(a)所述源极端子、(b)所述漏极端子或(c)所述多个纳米线之间的直接接触，其中所述工作电极被配置使得当在所述分析物溶液中存在化学物质时，引发所述多个纳米线的位置处的电场的变化，其中所述多个纳米线被配置使得当所述电场变化时，引发所述源极端子与所述漏极端子之间相应的电流变化。

2.根据权利要求1所述的传感器，其中所述源极端子与所述漏极端子之间的距离在0.5微米至10微米的范围。

3.根据权利要求1所述的传感器，其中所述源极端子与所述漏极端子之间的距离在10微米至100微米的范围。

4.根据权利要求1所述的传感器，其中所述绝缘体的厚度在10纳米至1微米的范围。

5.根据权利要求1所述的传感器，其中所述多个纳米线中的每个的长度在1微米至100微米的范围。

6.根据权利要求1所述的传感器，其中所述工作电极、场效应晶体管和所述绝缘体处于堆叠构型。

7.根据权利要求1所述的传感器，其中所述工作电极、场效应晶体管和所述绝缘体处于并排构型。

8.根据权利要求1所述的传感器，其中工作电极材料包括至少一种贵金属。

9.根据权利要求1所述的传感器，其中工作电极材料包括金属氧化物。

10.根据权利要求1所述的传感器，其中所述传感器具有0.00005mm²至0.005mm²的覆盖区。

11.根据权利要求1所述的传感器，其中工作电极暴露部分具有1微米至1000微米的主要尺寸。

12.根据权利要求1所述的传感器，其中每个纳米线具有1至500纳米范围的主要横截面尺寸。

13.根据权利要求1所述的传感器，其中所述纳米线具有圆形、方形、矩形、三角形或梯形横截面中的一种。

14.根据权利要求1所述的传感器，包括1至100个纳米线。

15.根据权利要求1所述的传感器，还包括布置在所述工作电极上的水凝胶，所述水凝胶包括至少一种配置为与所述分析物溶液中的分析物相互作用的酶。

16.根据权利要求15所述的传感器，其中所述酶包括葡萄糖氧化酶、乳酸氧化酶、3-羟基丁酸脱氢酶、胆固醇氧化酶、丙酮酸氧化酶、甘油氧化酶、乙醇氧化酶、谷氨酰胺酶氧化酶、L-谷氨酸氧化酶、黄嘌呤氧化酶、L-谷氨酸氧化酶、胆碱氧化酶、肌氨酸氧化酶和抗坏血酸氧化酶或肌酸酐酶、肌酸酶、过氧化物酶、漆酶、酪氨酸酶或3-羟基丁酸脱氢酶、葡萄糖脱氢酶、乳酸脱氢酶、乙醇脱氢酶或谷氨酸脱氢酶中的一种。