[发明专利]对制造变化具有高鲁棒性的集成宽带光耦合器

权利要求书

1.一种光学装置，包括：

相位延迟件；

第一绝热耦合器，其适合于接收输入信号并且适合于与所述相位延迟件的输入光学耦合；以及

第二绝热耦合器，其适合于与所述相位延迟件的输出光学耦合，所述第二绝热耦合器包括：

第一输出和第二输出；

第一波导，该第一波导包括与所述第一输出光学耦合并且包括第一宽度的第一部分，以及

第二波导，该第二波导包括与所述第二输出光学耦合并且包括与所述第一宽度大致相等的第二宽度的第二部分。

2.如权利要求1所述的光学装置，其中，所述第二绝热耦合器被配置为利用所述第一输出产生第一输出信号并且利用所述第二输出产生第二输出信号，所述第一输出信号和所述第二输出信号之间的相对相位差为pi/2。

3.如权利要求2所述的光学装置，其中，所述第一输出信号和所述第二输出信号包括所述输入信号的不同功率分配。

4.如任何在前权利要求所述的光学装置，其中，所述第二宽度等于所述第一宽度。

5.如任何在前权利要求所述的光学装置，其中：

所述第一波导还包括第三部分，该第三部分适合于与所述相位延迟件的输出光学耦合并且包括第三宽度，并且

所述第二波导还包括第四部分，该第四部分适合于与所述第一绝热耦合器光学耦合并且包括第四宽度。

6.如权利要求5所述的光学装置，其中，所述第三宽度不等于所述第四宽度。

7.如权利要求6所述的光学装置，其中，所述第三宽度小于所述第四宽度。

8.如任何在前权利要求所述的光学装置，其中，所述第一绝热耦合器和第二绝热耦合器包括氧氮化硅(SiON)和氮化硅(Si₃N₄)中的至少一者作为第一导光材料，并且其中，所述相位延迟件包括硅(Si)作为第二导光材料。

9.如任何在前权利要求所述的光学装置，其中，所述相位延迟件包括：

第一臂，该第一臂包括第三波导，该第三波导包括第三宽度和第一长度；以及

第二臂，该第二臂包括第四波导，该第四波导包括与所述第三宽度不同的第四宽度和与所述第二长度大致相等的第二长度。

10.如权利要求9所述的光学装置，其中，所述相位延迟件包括Si作为导光材料。

11.如权利要求9或10所述的光学装置，其中，所述第一臂包括第一锥体组件和第二锥体组件，所述第二臂包括第三锥体组件和第四锥体组件，所述第三锥体组件包括与所述第一锥体组件大致相等的尺寸，并且所述第四锥体组件包括与所述第二锥体组件大致相等的尺寸。

12.一种绝热耦合器，包括：

第一输出和第二输出；

第一波导，该第一波导包括与所述第一输出光学耦合的第一部分以及适合于与相位延迟件光学耦合的第二部分；以及

第二波导，该第二波导包括与所述第二输出光学耦合的第三部分以及适合于与另一绝热耦合器的输出光学耦合的第四部分，其中，所述第一部分包括第一宽度，并且所述第三部分包括与所述第一宽度大致相等的第二宽度。

13.如权利要求12所述的绝热耦合器，其中，所述绝热耦合器被配置为利用所述第一输出产生第一输出信号并且利用所述第二输出产生第二输出信号，所述第一输出信号和所述第二输出信号之间的相对相位差为pi/2。

14.如权利要求13所述的绝热耦合器，其中，所述绝热耦合器被包括在光学装置中，并且其中，所述第一输出信号和所述第二输出信号包括所述光学装置的输入信号的不同功率分配。