[发明专利]发光二极管和形成发光二极管的方法

权利要求书

1.一种形成发光二极管(LED)前体的方法，包括：

(a)在基底上形成包括III族氮化物的第一半导体层，所述第一半导体层在所述第一半导体层的与所述基底相反的一侧上具有生长表面；

(b)选择性地去除部分所述第一半导体层以形成台面结构，使得所述第一半导体层的生长表面包括台面表面和体半导体表面；

(c)在所述第一半导体层的生长表面上形成单片LED结构，使得所述单片LED结构覆盖所述台面表面和所述体半导体表面，所述单片LED结构包括多层，每层包括III族氮化物，所述单片LED结构包括：

-第二半导体层；

-有源层，其设置在所述第二半导体层上，所述有源层被配置为产生光；和

-p型半导体层，其设置在所述有源层上，

其中在覆盖所述台面表面的所述p型半导体层的第一部分和覆盖所述体半导体表面的所述p型半导体层的第二部分之间提供势垒，所述势垒围绕对所述台面表面进行覆盖的所述p型半导体层的第一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二半导体层包括未掺杂的III族氮化物。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中，所述第二半导体层在所述生长表面上形成以提供倾斜侧壁部分，所述倾斜侧壁部分在所述第一半导体层的台面表面上的所述第二半导体层的第一部分和所述第一半导体层的体半导体表面上的所述第二半导体层的第二部分之间延伸。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

所述p型半导体层包括Al，并且所述p型半导体层形成为使得所述p型半导体层的倾斜侧壁部分中包含的Al的浓度比覆盖所述台面表面的所述p型半导体层的第一部分中包含的Al的浓度高，使得在所述p型半导体层的第一部分和所述p型半导体层的第二部分之间的所述p型半导体层的倾斜侧壁部分中形成势垒。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述p型半导体层的倾斜侧壁部分包括p型Al_xGa_1-xN，其中2≤x≤50％；并且

所述p型半导体层的第一部分包括p型Al_yGa_1-yN，其中1≤y≤15％。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，选择性地去除所述p型半导体层的这样的部分以暴露下方的有源层：所述部分围绕对所述台面表面进行覆盖的所述p型半导体层的第一部分。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，使用各向异性蚀刻剂选择性地去除所述p型半导体层的这样的部分：所述部分围绕对所述台面表面进行覆盖的所述p型半导体层的第一部分。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，选择性地去除部分所述第一半导体层以形成所述台面结构包括：

在所述第一表面上选择性地形成限定台面的掩模层；

选择性地去除第一半导体层的未掩蔽部分以暴露所述第一半导体层的体半导体表面；以及

去除限定台面的掩模层。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一半导体层包括GaN，其中，可选地，所述第一半导体层是n型半导体。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述台面表面和所述体半导体表面之间的所述台面结构的高度至少为200nm。