[发明专利]刺激响应聚合物膜和制剂

权利要求书

1.一种方法，其包含：

在衬底的敏感性表面上形成SRP层，其中，所述SRP层为包含刺激响应聚合物(SRP)的层，所述SRP的特征为上限温度(T_c)，在所述上限温度下，所述SRP与其单体达到热平衡，所述T_c介于-80℃与400℃之间；以及

在所述SRP层上形成一或更多盖层。

2.根据权利要求1所述的方法，其还包含将包含所述SRP层与一或更多盖层的所述衬底暴露于环境条件持续预定时间段。

3.根据权利要求2所述的方法，其还包含移除所述一或更多盖层以及所述SRP层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在完成所述SRP层的移除前，移除所述一或更多盖层。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，形成所述一或更多盖层包含：将衬底温度维持不大于所述SRP的所述上限温度。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，所述一或更多盖层为无机层。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中，所述一或更多盖层包含以下一或多者：SiO_x、SnO_x、AlO_x、TiO_x、ZrO_x、HfO_x和ZnO_x，以及氮化物膜，例如SiNx，其中x为大于0的数字。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，所述一或更多盖层包含一或更多聚合物层。

9.根据权利要求2-8中任一项所述的方法，其中，通过剥离来移除所述一或更多盖层。

10.根据权利要求2-8中任一项所述的方法，其中，通过暴露于溶剂或等离子体来移除所述一或更多盖层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，当所述SRP层正在覆盖所述敏感性表面时，移除所述溶剂或熄灭所述等离子体。

12.根据权利要求2-8所述的方法，其中，移除所述一或更多盖层包含：使所述SRP解聚，并且将所述一或更多盖层从所述衬底剥离。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中，所述SRP包含作为均聚合物或共聚合物的组成聚合物的聚(苯二醛)、聚(醛)、聚(氨基甲酸苄酯)、聚(苄基醚)、聚(α-甲基苯乙烯)、聚(碳酸酯)、聚(降冰片烯)、聚(烯烃砜)、聚(乙醛酸酯)、聚(酯)、或聚(甲基丙烯酸甲酯)、以及其衍生物。

14.根据权利要求1-5或8-13中任一项所述的方法，其中，所述一或更多盖层中的一者为聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯、聚脲、聚醛、以及聚氨酯。

15.根据权利要求1-13中任一项所述的方法，其中，通过气相沉积来沉积所述SRP以及所述一或更多盖层。

16.一种制剂，其包含：

刺激响应聚合物(SRP)，所述刺激响应聚合物的特征为上限温度(T_c)，在所述上限温度下，所述SRP与其单体达到热平衡，所述T_c介于-80℃与400℃之间；以及

具有pKa≥1的有机酸，其中所述SRP:所述有机酸wt％为至少1:1。