[发明专利]于工艺腔室表面或部件上形成保护涂层的方法

权利要求书

1.一种在工艺腔室内形成保护涂层的方法，包括：

在原子层沉积(ALD)工艺中将氧化铈层沉积于腔室表面或腔室部件上，其中所述ALD工艺包括：

在一ALD周期中，将所述腔室表面或所述腔室部件依序暴露于铈前驱物、净化气体、氧化剂和所述净化气体；及

重复所述ALD周期以沉积所述氧化铈层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述铈前驱物包括β-二酮酸铈化合物、环戊二烯铈化合物、烷氧化铈化合物、氨基铈化合物、乙脒化铈化合物、它们的加合物或它们的任何组合。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述铈前驱物包括β-二酮酸铈化合物。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述β-二酮酸铈化合物为Ce(thd)₄、Ce(thd)₃、Ce(thd)₃(phen)、它们的加合物或它们的任何组合。

5.如权利要求2所述的方法，其中所述铈前驱物包括环戊二烯铈化合物。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述环戊二烯铈化合物为(Cp)₃Ce、(MeCp)₃Ce、(EtCp)₃Ce、(PrCp)₃Ce、(BuCp)₃Ce、它们的加合物或它们的任何组合。

7.如权利要求2所述的方法，其中所述铈前驱物包括烷氧化铈化合物。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述烷氧化铈化合物为Ce(mmp)₄(铈四(1-甲氧-2-甲基-2-丙酸酯))、Ce(dmap)₄(铈四(1-(二甲基胺基)丙-2-酸酯))、Ce(dmop)₄(铈四(2-(4,4-二甲基-4,5-二氢恶唑-2-基)丙-2-酸酯))、它们的加合物或它们的任何组合。

9.如权利要求2所述的方法，其中所述铈前驱物包括氨基铈化合物或乙脒化铈化合物。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述铈前驱物为(hmdsa)₃Ce或(ⁱPrCp)₂Ce(N-ⁱPr-amd)。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化剂包括水、氧气(O₂)、原子氧、臭氧、一氧化二氮、过氧化物、它们的等离子体或它们的任何组合。

12.如权利要求1所述的方法，其中重复所述ALD周期直到所述氧化铈层具有的厚度为约1nm至约100nm。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述腔室表面或所述腔室部件在所述ALD工艺中被加热至约50℃至约400℃的温度。

14.如权利要求13所述的方法，其中在所述ALD工艺中所述温度为约100℃至约350℃。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述腔室表面或所述腔室部件包含设置于其上的中间氧化物膜，且其中所述氧化铈沉积于所述中间氧化物膜上。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述中间氧化物膜包括氧化铝、氧化镧、氧化铪、氧化钇、氧化锆、它们的合金、它们的掺杂物或它们的任何组合。