[发明专利]电子装置及其生产方法、成像方法和成像设备在审
| 申请号： | 202080062990.5 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN114341745A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 纸英利;浅野友晴;石井雅之;井上龙太 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | G03G5/04 | 分类号： | G03G5/04;G03G5/147 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 颜芳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 装置 及其 生产 方法 成像 设备 | ||
1.电子装置，包括：
载体；
包括电荷传输材料的电荷传输层或包括增感染料的增感染料电极层，其中所述电荷传输层或所述增感染料电极层被设置在所述载体上或上方；和
金属氧化物层，所述金属氧化物层被设置在所述电荷传输层或所述增感染料电极层上或上方，
其中所述金属氧化物层包括p型半导体金属氧化物和二氧化硅或金属氧化物颗粒，以及
其中所述金属氧化物层中包括的所述二氧化硅或金属氧化物颗粒的量为相对于所述金属氧化物层0.5质量％以上但1.5质量％以下。
2.根据权利要求1所述的电子装置，
其中所述金属氧化物层的平均厚度为1.2微米以上但1.8微米以下，并且所述金属氧化物的厚度的标准偏差为0.07微米以下。
3.根据权利要求1或2所述的电子装置，
其中所述p型半导体金属氧化物为铜铁矿氧化物。
4.根据权利要求3所述的电子装置，
其中所述铜铁矿氧化物为铜铝氧化物。
5.用于生产电子装置的方法，所述方法包括：
喷涂p型半导体金属氧化物和二氧化硅或金属氧化物颗粒以形成金属氧化物层，
其中所述电子装置包括：
载体；
包括电荷传输材料的电荷传输层或包括增感染料的增感染料电极层，其中所述电荷传输层或所述增感染料电极层被设置在所述载体上或上方；和
所述金属氧化物层，所述金属氧化物层被设置在所述电荷传输层或所述增感染料电极层上或上方。
6.根据权利要求5所述的方法，
其中所述喷涂是气溶胶沉积。
7.成像方法，包括：
利用根据权利要求1至4中任一项所述的电致变色装置形成图像。
8.成像设备，包括：
根据权利要求1至4中任一项所述的电致变色装置。
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