[发明专利]具有组合的动态视觉传感器功能和成像功能的固态成像器件和成像装置在审
申请号: | 202080063994.5 | 申请日: | 2020-09-07 |
公开(公告)号: | CN114365288A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 波里亚·马斯塔法卢;弗雷德里克·布雷迪 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369;H04N5/378 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 瓮芳;陈桂香 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 组合 动态 视觉 传感器 功能 成像 固态 器件 装置 | ||
1.一种成像装置,其包括:
像素阵列单元,其中,所述像素阵列单元包括:
多个像素;和
隔离结构,其中,所述多个像素中的每个像素通过所述隔离结构与所述多个像素中的一个或多个邻近像素分离,并且其中,每个像素包括:
光电转换区域;
第一传输晶体管;
第二传输晶体管;
第一读出电路,其通过所述第一传输晶体管选择性地耦合到所述光电转换区域;和
第二读出电路,其通过所述第二传输晶体管选择性地耦合到所述光电转换区域。
2.如权利要求1所述的成像装置,其中,所述第二读出电路是地址事件检测读出电路。
3.如权利要求2所述的成像装置,其中,所述第一读出电路是成像信号产生读出电路。
4.如权利要求3所述的成像装置,其中,所述像素阵列单元包括多个像素组,其中,所述多个像素组中的第一像素组的每个像素与所述第一像素组中的其他像素隔离。
5.如权利要求4所述的成像装置,其中,所述隔离结构是介电结构。
6.如权利要求5所述的成像装置,其中,所述介电结构包围所述第一像素组内的每个所述像素。
7.如权利要求6所述的成像装置,其中,所述介电结构是全厚度介电沟槽。
8.如权利要求1所述的成像装置,其中,所述第一读出电路包括浮动扩散层、放大晶体管、选择晶体管和复位晶体管。
9.如权利要求8所述的成像装置,其中,所述第二读出电路包括电流电压转换单元和减法器。
10.如权利要求8所述的成像装置,其中,所述第二读出电路包括第一对数晶体管和第一放大晶体管。
11.如权利要求8所述的成像装置,其中,所述第二读出电路包括第一对数晶体管、第二对数晶体管、第一放大晶体管和第二放大晶体管。
12.如权利要求1所述的成像装置,其中,所述第一传输晶体管包括N型传输栅极和P型传输栅极中的第一者,并且其中,所述第二传输晶体管包括所述N型传输栅极和所述P型传输栅极中的第二者。
13.如权利要求12所述的成像装置,其中,所述多个像素中所包括的至少第一像素的所述光电转换区域选择性地同时连接到所述第一读出电路和所述第二读出电路。
14.如权利要求12所述的成像装置,其还包括:
联合信号线,其中,所述联合信号线将所述第一传输栅极电连接到所述第二传输栅极。
15.如权利要求1所述的成像装置,其中,针对每个像素,所述第一读出电路的所有部件都形成在所述像素的第一半部分中,并且所述第二读出电路的所有部件都形成在所述像素的第二半部分中。
16.如权利要求1所述的成像装置,其中,所述光电转换区域在平面图中包括多个边,其中,所述第一传输栅极沿着所述光电转换单元的第一边定位,并且其中,所述第二传输栅极沿着所述光电转换区域的第二边定位。
17.如权利要求4所述的成像装置,其中,每个像素组还包括第一单位像素、第二单位像素、第三单位像素和第四单位像素,并且其中,所述第一单位像素、所述第二单位像素、所述第三单位像素和所述第四单位像素以2×2阵列设置。
18.如权利要求1所述的成像装置,其中,所述隔离结构针对每个所述单位像素限定像素区域,并且其中,每个单位像素的电路元件通过所述隔离结构与所述像素阵列单元中的任何邻近单位像素的电路元件分离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的