[发明专利]结合剂及其用途

权利要求书

1.一种消皮素D抑制剂，所述消皮素D抑制剂结合至消皮素D并抑制消皮素D，诸如其中所述抑制剂结合至消皮素D并中和消皮素D。

2.一种消皮素D抑制剂，所述消皮素D抑制剂结合至消皮素D并中和消皮素D。

3.根据权利要求1或2所述的消皮素D抑制剂，其中消皮素D的抑制和/或中和是如下的抑制和/或中和：

i)消皮素D的活性，诸如其中所述抑制剂中和消皮素D的活性；和/或

ii)消皮素D的功能，诸如其中所述抑制剂中和消皮素D的功能。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂：

i)是细胞外抑制剂；

ii)结合至细胞表面上的消皮素D；和/或

iii)结合至消皮素D，并且除非其结合至消皮素D，否则不跨越细胞膜。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂是大分子，诸如其中所述抑制剂具有2kDa、3kDa、4kDa、5kDa、6kDa、7kDa、8kDa、9kDa或10kDa的分子量。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂结合至消皮素D的N端结构域。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂结合至包含SEQ ID NO:2、SEQ ID NO:4、SEQ ID NO:5、SEQ ID NO:6、SEQ ID NO:7、SEQ ID NO:8或SEQ ID NO:9的表位，诸如其中所述抑制剂结合至包含SEQ ID NO:9的表位。

8.根据权利要求7所述的抑制剂，其中所述抑制剂结合至包含SEQ IDNO:9的表位。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂结合至SEQ ID NO:2、SEQ ID NO:4、SEQ ID NO:5、SEQ ID NO:6、SEQ ID NO:7、SEQ ID NO:8或SEQ ID NO:9，诸如其中所述抑制剂结合至SEQ ID NO:9。

10.根据权利要求9所述的抑制剂，其中所述抑制剂结合至SEQ ID NO:9。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂结合至消皮素D并抑制所述消皮素D与脂质的缔合，诸如其中所述抑制剂结合至消皮素D并中和消皮素D与脂质的缔合，任选地其中所述抑制剂结合至消皮素D并抑制所述消皮素D与磷脂酰肌醇4-磷酸和/或磷脂酰肌醇4,5-二磷酸的缔合，诸如其中所述抑制剂结合至消皮素D并中和消皮素D与磷脂酰肌醇4-磷酸和/或磷脂酰肌醇4,5-二磷酸的缔合。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂结合至消皮素D并抑制消皮素D的低聚，诸如其中所述抑制剂中和消皮素D的低聚，任选地其中所述抑制剂抑制消皮素D亚基之间的蛋白-蛋白相互作用，诸如其中所述抑制剂中和消皮素D亚基之间的蛋白-蛋白相互作用。

13.根据权利要求1至11中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂结合至消皮素D多聚体孔，诸如其中：

i)所述抑制剂阻断所述孔；或者

ii)所述抑制剂破坏所述孔的消皮素D亚基之间的蛋白-蛋白相互作用。

14.根据权利要求13所述的抑制剂，其中所述抑制剂结合至所述多聚体孔的消皮素D亚基，诸如其中：

i)所述抑制剂阻断所述孔；或者

ii)所述抑制剂破坏所述孔的消皮素D亚基之间的蛋白-蛋白相互作用。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的抑制剂，其中所述抑制剂抑制IL-1β和/或IL-18的释放。