[发明专利]摄像装置在审
申请号: | 202080064249.2 | 申请日: | 2020-08-25 |
公开(公告)号: | CN114424515A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 米田诚一;根来雄介 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H04N5/225 | 分类号: | H04N5/225;H04N5/369;H04N5/374;H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;陈岚 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 | ||
1.一种摄像装置,包括:
第一晶体管至第六晶体管;
光电转换元件;
第一电容器;以及
第二电容器,
其中,所述光电转换元件的一个电极与所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接,
所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接,
所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第一电容器的一个电极电连接,
所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第三晶体管的栅电极电连接,
所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接,
所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二电容器的一个电极电连接,
所述第二电容器的一个电极与所述第五晶体管的源极和漏极中的一个电连接,
所述第六晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接,
并且,所述第一晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管以及所述第六晶体管在形成沟道的区域中包含硅。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,
其中所述第二晶体管以及所述第五晶体管在形成沟道的区域中包含氧化物半导体。
3.根据权利要求1或2所述的摄像装置,
其中所述第二电容器的电容大于所述第一电容器的电容。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像装置,
其中所述光电转换元件与所述第一晶体管邻接地设置,
并且所述光电转换元件与所述第六晶体管的源极或漏极邻接地设置而形成在同一硅衬底上。
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