[发明专利]形成窄沟槽的方法在审
申请号: | 202080064261.3 | 申请日: | 2020-09-17 |
公开(公告)号: | CN114585969A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 安东·J·德维利耶;约迪·格热希科维亚克;丹尼尔·富尔福德;理查德·A·法雷尔;杰弗里·史密斯 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16;G03F7/30;G03F7/40;G03F7/00;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王伟楠;陈炜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 沟槽 方法 | ||
1.一种在基板上形成图案的方法,包括:
在所述基板的下层上形成第一层,所述第一层被图案化以具有第一结构;
在所述第一结构的侧表面上沉积接枝材料,所述接枝材料包括溶解性转移材料;
将所述溶解性转移材料扩散预定距离进入邻接所述溶解性转移材料的相邻结构中,所述溶解性转移材料改变所述相邻结构在显影剂中的溶解性;以及
使用所述显影剂去除所述相邻结构的可溶部分以形成第二结构。
2.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述第一结构包括所述第一层的第一开口;
所述相邻结构是所述第一层的一部分;
所述第一层包括光致抗蚀剂材料;并且
所述第二结构包括所述第一层的第二开口,其中,通过在扩散所述溶解性转移材料之前将所述第一层图案化曝光于光化辐射,形成所述第二开口的潜在图案。
3.根据权利要求2所述的方法,其中:
所述溶解性转移材料使所述相邻结构不溶于所述显影剂;并且
所述第一开口与所述第二开口间隔开至少所述预定距离。
4.根据权利要求2所述的方法,其中:
所述溶解性转移材料使所述相邻结构能够溶于所述显影剂;并且
所述第一开口与所述第二开口接合。
5.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述第一结构包括心轴或线;
所述相邻结构是所述第一层的一部分;
通过用具有所述接枝材料的溶液涂覆所述基板来实现沉积所述接枝材料,其中,所述接枝材料沉积在所述基板的所有未覆盖表面上;并且在将所述溶解性转移材料扩散之后,所述方法还包括:
从所述基板去除所述接枝材料;以及
在所述基板上沉积光致抗蚀剂材料以形成所述第二结构的潜在图案,所述光致抗蚀剂材料邻接所述第一结构。
6.根据权利要求5所述的方法,其中:
所述溶解性转移材料使所述填充材料的邻接部分能够溶于所述显影剂;并且
所述第一结构与所述第二结构间隔开至少所述预定距离。
7.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述第一结构包括心轴或线;并且
所述相邻结构是在沉积所述接枝材料之后沉积在所述基板上的光致抗蚀剂材料。
8.一种在基板上形成图案的方法,包括:
在所述基板的下层上形成图案化的第一层,所述图案化的第一层包括第一材料,并且所述下层包括与所述第一材料化学上不同的第二材料,所述图案化的第一层具有第一结构;
在所述基板上沉积接枝材料,所述接枝材料选择性地粘附至所述第一结构的未覆盖表面,所述接枝材料包括溶解性转移材料;
在所述基板上沉积填充材料,所述填充材料邻接所述接枝材料;
将所述溶解性转移材料扩散预定距离进入所述填充材料的邻接部分,所述溶解性转移材料改变所述填充材料的邻接部分在显影剂中的溶解性;以及
使用所述显影剂去除填充材料的可溶部分,使得所述填充材料的剩余部分形成第二结构。
9.根据权利要求8所述的方法,其中:
所述溶解性转移材料使所述填充材料的邻接部分能够溶于所述显影剂;并且
所述第一结构与所述第二结构间隔开至少所述预定距离。
10.根据权利要求8所述的方法,其中:
所述溶解性转移材料使所述填充材料的邻接部分不溶于所述显影剂;并且
所述第一结构与所述第二结构接触。
11.根据权利要求8所述的方法,其中:
所述溶解性转移材料包括热酸生成剂;并且所述方法还包括:
在将所述溶解性转移材料扩散到所述填料材料中之前,通过热来活化所述热酸生成剂。
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